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调频发射机功放管工作原理及检修浅析 秦 武 在FM发射机中，高频功率放大器主要用来放大由调频激励器送出的射频已调波信号。此信号可以经由一系列放大系统组合成不同等级的发射功率，送到发射天线上，功率放大模块是发射机高频功率放大器的主要部件，一个成熟稳定的功放模块至少包含输入匹配电路，功放管、输出匹配电路，偏置电路及保护功放管的控制电路。而功放管又是功率放大模块的核心部件，因功放管较易损坏。了解功放管的工作原理及检修方法对维修发射机十分重要。 目前用于FM发射机的放大管多采用MOSFET，飞利浦公司生产的BLF177、BLF278以及摩托罗拉公司生产的MRF151G被广泛的应用于功率放大模块中，我们单位使用的上海研达厂生产的3000W调频发射机均采用BLF177作为功率放大模块的放大元件，每只输出功率150W，相当于一只BLF278或MRF151G场效应管分别做在两块基座上，两种场效应管相比较，采用BLF177最大的优点是,输出相同300W功率时,场效应管的散热面积增大了一倍。此发射机由8个600W功率放大模块构成，合成后产生3000W功率输出。每个600W功率放大模块采用4只V-MOSFET晶体管BLF177，分别组成两组推挽功率放大电路，通过微带印制电路合成输出，正常播出时工作在乙类状态；当处于保护状态输出时，则处于丙类工作状态，功率输出约为原来的一半。由于BLF177输入输出阻抗很高，所以电路容易实现宽带匹配，不需调整就可以覆盖FM频段的21MHz带宽。 一、功放管的工作原理 （1）MOSFET管工作原理 金属—氧化物半导体场效应管按工作方式分有增强型和耗尽型，每类又分为N沟道和P沟道。N沟道的场效应管的衬底为P型材料，增强型的MOSFET管的栅极偏压为正，耗尽型的栅极偏压为负。如图1，在一块P型硅片上（衬底）通过扩散工艺形成两个N型工作区作源极和漏极，栅极（铝电极）与沟道间被一层很薄的二氧化硅（）绝缘，故称绝缘栅,(输入阻抗可达以上)跨导：在为规定条件值下，漏极电流变化量和引起这个变化的栅源电压变化量之比，称跨导或互导。 铝电极 G S D - θ θ θ - θ θ θ 耗尽层 N沟道 NN N N 衬底 （P型） P型衬底 N沟道增强型MOSFET原理图（1） D G 衬底 S N沟道增强型场应管符号（2） =0 S、D两极间为两个串连的PN结不能使电流流过。 ＞0 栅压与衬底间以为绝缘介质，构成等效电容器被充电。 金属极板带正电，产生垂直于半导体表面的电场，穿过作用到衬底上，使P型衬底中电子（少子）被电场吸引到P型半导体表面一层与其中的空穴复合，形成耗尽区（负离子空间电荷区）。上升到（开启电压），垂直电场吸引足够多的电子，穿过耗尽区到半导体最表面一层，形成自由电子的导电薄层，，这种P型半导体转化为N型薄层，（称反型层或感生沟道），反型层使S、D两极间变为一条由半导体N-N-N组成的导电沟道，加上产生电流。（＞0→C充电→少子→P型表面耗尽区→导电薄层→N型薄层） (A) 预 夹 断① 轨 ② 迹 ③