一种有机薄膜器件的制备及电存储特性.pdfVIP

第29卷 第1期 半 导 体 学 报 Vo1．29 No．1 2008年1月 JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Jan．，2008 一 种有机薄膜器件的制备及电存储特性* 郭 鹏 季 欣 董元伟 吕银祥 徐 伟t (复旦大学材料科学系，上海 200433) 摘要：研究了一种金属／有机物／金属夹层结构有机薄膜器件的可逆电双稳特性．器件的阳极和阴极分别为真空热蒸发沉 积的Ag和 薄膜，中间介质层为真空热蒸发沉积的2-(hexahydropyrimidin．2．ylidene)．malononitrile(HPYM)有机薄 膜．器件起始状态为非导通态，在大气环境下，可用正、反向电场进行信号的写入和擦除，表现为极性记忆特性．通过自然氧 化的方法在底电极Al表面形成一层A12 03薄膜层后，可使器件在不同的正向电压脉冲作用下达到不同的导电态，具有一 定的多重态存储特性．同时，研究了不同的电极组合对器件电性能的影响，并通过紫外．可见吸收光谱以及喇曼光谱对器件 界面进行表征． 关键词：有机薄膜器件；存储器；电双稳特性；多重态导电特性 EEACC：2520M 中图分类号：0626 文献标识码：A 文章编号：0253．4177(2008)01．0140．04 薄膜相对厚度及沉积速率．ITO／HPYM／Ag器件的制 1 引言 备则直接在经过刻蚀和清洁后的ITO玻璃基板上依次 蒸镀有机和顶电极金属层．三类器件中间有机薄膜膜厚 用有机小分子材料和聚合物材料代替传统的无机 均约为120nm，沉积速率约为0．1nm／s；顶电极Ag膜 半导体作为信息存储介质，是分子电子学研究的新方 厚约为70nm，沉积速率为0．02～0．1nm／s． 向[1]．目前已报道了多种基于有机半导体材料的夹层结 分别采用电脑控制的Keithley2400数字电表和 构存储器[2 。。．其中，对带有氰基基团的有机分子薄膜 HP 4284A Precision LCR Met．er测量薄膜器件的电流． 器件电特性的研究成为热点[3 ]．因为氰基具有很强的 电压及电容、电导特性．测量时顶电极接输入信号正极， 吸电子能力，可以在电场作用下与金属原子或者带有推 底电极接地，测试在干燥的大气环境下进行．紫外．可见 电子基团的有机分子间发生电荷转移或者偶极相互作 吸收光谱测量采用日本SHIMADZU公司的uV．2450 用，从而使器件发生导电态的转变[11 12]．美国加州大学 型光谱仪；喇曼光谱测量采用法国JY公司LabRam．1B Yang等人还报道了基于2．amino．4，5．imidazole．dicar． 型显微喇曼光谱仪，激发光波长为632．8nm，功率为 bonitrile(AIDCN)分子的电双稳器件，以AIDCN／A1／ 4．3／8mW． AIDCN作为信息存储介质，并指出其中的非连续 A1zo。颗粒是产生信息记录的关键 ]．但是，要制备这 3 结果与讨论 种非连续A1 o。颗粒层，对工艺条件有严格的要求． 为了简化器件制作工艺，我们采用最简单的金属． 在正、反向循环扫描电压作用下(扫描速率为100 有机物-金属(M-o-M)结构来实现电双稳功能，其中的 mY／s)，AI／HPYM／Ag薄膜器件的电流 电压曲线如图 有机层采用具有推吸电子特征 的共轭有机分子 2所示．该器件的起始导电态为非导通态(off)，随着正 HPYM_1 ．本文在前期研究[1 ]的基础上，进一步开发出 向电压逐渐升高接近3V(阈值电压， b )，导电态发生 器件的多重态存储特性，并研究了界面处理以及不同组 跃迁成为导通态(on)，且低阻状态始终保持，直到反向 合电极对器件电特性的影响．