氧化物-半导体MOS场效应管83场效应管放大电路及模拟集成电路.PPT

模拟电子技术基础 电子教案 V1.0 目录 8 场效应管及其放大电路 多级放大电路 引言 引言 8.2 结型场效应管 8.2.1 结型场效应管的结构和工作原理 2. 工作原理 8.2.2 结型场效应管的特性曲线及参数 8.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 8.1.2 N沟道耗尽型MOS场效应管 8.1.1 N沟道增强型MOS场效应管 1. 结构 2. 工作原理 3. 特性曲线与特性方程 (1) 输出特性及特性方程 (2) 转移特性 4. 沟道长度调制效应 8.1.2 N沟道耗尽型MOS场效应管 8.1.3 P沟道MOS场效应管 8.1.4 MOS场效应管的主要参数 一、直流参数 二、交流参数 三、极限参数 8.3 场效应管放大电路及模拟集成电路基础 分析思路 8.3.1 场效应管放大电路的静态分析 例8.3.4 例8.3.1 8.3.2 场效应管的微变等效电路 1. 场效应管的低频小信号等效模型 2. 场效应管的高频小信号等效模型 3. 场效应管放大电路的微变等效电路分析 (1) 共源极放大电路的动态分析 例8.3.2 例8.3.3 (2) 共漏极放大电路的动态分析 例8.3.4 4. 场效应管三种放大电路的性能比较 8.3.3 场效应管电流源 1. 场效应管镜像电流源 2. 场效应管多路电流源 3. 电流源为有源负载的场效应管放大电路 8.3.4 场效应管差分放大电路 1. 结型场效应管差分放大电路 2. MOS管差分放大电路 8.4 各种放大器件及电路性能比较 8.4.1 各种场效应管的特性及使用注意事项 8.4.2 各种放大器件电路性能比较 表8.4.2 各种放大器件电路性能比较 例8.4.1 教学基本要求 掌握结型场效应管的工作原理和特性曲线，了解其主要参数 了解MOS场效应管的工作原理、特性曲线及主要参数 了解FET放大电路的静态偏置特点及求解思路 掌握用小信号模型分析法分析动态性能 了解双极型三极管和场效应管放大电路的特点 8.3.2 场效应管的微变等效电路 3. 场效应管放大电路的微变等效电路分析 ② 输入电阻 ③ 输出电阻 ① 电压增益 共源极电路的特点是： 又称为源极跟随器，与射极跟随器一样，其电压增益小于1，但接近于1，输出电压与输入电压同相位。输入电阻大，输出电阻小。 (b) 微变等效电路 图8.3.6 共漏极电路 (a) 电路 图8.3.7 求共漏极放大电路Ro的电路 输出电阻的证明 (b) 微变等效电路 图8.3.6 共漏极电路 (2) 共漏极放大电路的动态分析 8.3.2 场效应管的微变等效电路 3. 场效应管放大电路的微变等效电路分析 由S点KCL有 共漏极电路如图8.3.8所示，其中场效应管为N沟道结型 场效应管。已知Rg1=2M?，Rg2=47k?，Rg3=10M?，Rd=30k?，R=2k?，VDD=18V，场效应管的VP=?1V，Kn=0.5mA/V2，且?=0。 试确定Q点，并计算电压增益、输入电阻和输出电阻。 图8.3.8 例8.3.4电路 解： ① 首先计算Q点 VGSQ = 0.4 ? 2IDQ 设场效应管工作在饱和区 ② 求跨导gm和场效应管输出电阻rds 因 IDSS =0.5mA，所以IDQ = 0.31mA。 VGSQ= ? 0.22V， VDSQ= VDD?IDQ (Rd +R) =8.1V。 由于?=0 ，所以rds可视为无穷大 例8.3.4 共漏极电路如图8.3.8所示，其中场效应管为N沟道结型 场效应管。已知Rg1=2M?，Rg2=47k?，Rg3=10M?，Rd=30k?，R=2k?，VDD=18V，场效应管的VP=?1V，Kn=0.5mA/V2，且?=0。 试确定Q点，并计算电压增益、输入电阻和输出电阻。 图8.3.8 例8.3.4电路 解： ③ 计算电压增益、输入电阻 和输出电阻 共源极电路 共漏极电阻 共栅极电路 电压增益高 输出电压与输入电压反相 输入电阻大 电压增益小于1但接近1 输出、输入电压同相 输入电阻高,输出电阻低 电压增益高 输出、输入电压同相 输入电阻小 8.3 场效应管放大电路及模拟集成电路基础 图8.3.9 MOS管基本电流源 与半导体三极管镜像电流源结构相同。T