衰减全反射ATR.PPTVIP

* 衰减全反射 (ATR)理论和应用 ATR使红外光谱分析多种方法中的一种，它替代了盐片和液体透射池。可用于液体、糊状体、粉末和一些固体的分析鉴定。 理论 (I) ATR是红外光在高折射率棱镜里的行为（当入射角大于临界角），在这些条件下，光束在棱镜的表面内侧全部反射，而在棱镜的表面外侧逐渐减弱 理论 (II) 很小一部分光透过晶体表面与样品发生作用产生一吸收光谱 SAMPLE Incident Radiation Reflected Radiation PRIZM Evanescent Wave ? 理论 (III) 水平衰减全反射 (HATR) - 基本的光路图 SAMPLE CRYSTAL MIRRORS FROM SOURCE TO DETECTOR 基本理论 (IV) ATR – 实验因素 折射率 临界角 入射角 穿透深度 反射次数 有效光程 样品接触情况 晶体材料 折射率 折射率是辐射光在真空中的传播速率与它在介质中传播速率之比。ATR材料影响产生全反射的入射角（和产生的渐消失的光波）、穿透深度。 临界角 (I) 临界角是样品和ATR晶体折射率的函数。 角度值决定了该晶体入射角的工作范围， ATR实验入射角必须大于临界角。 临界角(II) 临界角 ?c = sin-1 (ns/nc) 其中: nc = ?晶体的折射率 ns = 样品的折射率 入射角 入射教师红外光在晶体内部的角度。 它必须大于临界角产生内部反射（晶体较大的折射率允许较宽的临界角范围） 它影响反射的次数（和总的红外吸收）； 较大的角度 = 较少的反射次数 它影响穿透深度。 穿透深度 (I) 穿透深度定义为渐消失的光从晶体表面到样品内部的距离。它与IR光入射角、晶体折射率和偏振（如果使用）有关。 穿透深度(II) 在ATR 晶体实验中穿透深度与波长有关（随波长增加而增加）。也就是地波束范围样品信号强度大。光谱图可用FTIR软件中ATR校正功能调节。 穿透深度(III) 穿透深度 Dp = ?/2? nc[sin2? - (ns/nc)2]1/2 其中: ? = 波长 nc = ?晶体折射率 ns = ?样品折射率 ???= 有效入射角 穿透深度(IV) 穿透深度表 穿透深度(微米) 样品在1000cm-1处的折射率×1.4 反射次数 (I) 反射次数决定结果光谱的强度，它与有效的入射角，晶体的厚度、长度有关。 反射次数 (II) 反射次数 : N = l cot ?/2t 其中: ????有效的入射角 l = 晶体长度 t = 晶体厚度 有效光程 有效光程: P = N x Dp 其中: N???反射次数 Dp = 穿透深度 样品的接触 来自晶体表面的渐消失光衰减特别快。因此样品和晶体表面紧密接触非常重要。通常给固体样品一定的压力。 晶体材料 影响ATR实验的因素 – 选择合适的晶体材料 折射率 化学稳定性 (pH, 化学反应等) 光谱范围 机械强度 衰减全反射 ATR 材料 KRS-5 (碘化铊/溴化铊) 宽的光谱范围: 20,000 - 400 cm-1 受酸、碱影响 络合剂腐蚀 高度性 衰减全反射 ATR 材料 ZnSe (硒化锌) 光谱范围: 20,000 - 650 cm-1 强酸、强碱腐蚀 络合剂腐蚀 吸附极性和离子类物质 衰减全反射 ATR 材料 AMTIR (硒、硅和砷化玻璃) 光谱范围: 11,000 - 650 cm-1 适于酸性样品 受强碱腐蚀 受强氧化剂影响 衰减全反射 ATR 材料 Ge (锗) 光谱范围: 5,500 - 830 cm-1 与强酸反应 与强碱反应 衰减全反射 ATR 材料 Si (硅) 光谱范围: 8,300 - 1500 cm-1 受强酸影响 溶于强碱 样品制备 不破坏样品 液体样品直接放在槽型晶体架上面 固体样品平放在晶体表面上，并压住它 软型粉末样品放在槽型晶体上压上粉末压件 ATR 附件 垂直 ATR (VATR) 多用途 入射角可调 大的晶体面积 能分析固体、薄膜和涂层 *