光电信息技术终极小抄.doc

物体受到光照后向外发射电子的现象称为外光电效应或光电发射效应。光电发射第一定律：当入射光线的频谱成分不变时，光电阴极的饱和光电发射电流Ik与被阴极所吸收的光通量Φk成正比，即Ik=SkΦk，Sk为光电发射灵敏度系数。光电发射第二定律：发射出光电子的最大动能随入射光频率的增高而线性地增大，而与入射光的光强无关，即光电子发射的能量关系符合爱因斯坦方程：hv=0.5mevmax^2+φ0，其中h为普朗克恒量；v为入射光频率；me为光电子质量；vmax为出射光的最大速率；φ0为光电阴极的逸出功。光电发射第三定律：当光照射某一给定金属或某种物质时，无论无论光的强度如何，如果入射光的频率小于这一金属的红限v0，就不会产生光电子发射。v0=φ0/h。光电发射的瞬时性：实验证明，光电发射的延迟时间不超过3x10^-13s的数量级，可认为光电发射是无惯性的，这决定了外光电效应器件具有很高的频响。 光电检测基本方法：直接作用法（被测物控制光通量转换电量）、差动法（双光路差动法测物体长度）、补偿法、脉冲法-光通量转电脉冲（脉宽法测长、相位法测距、频率法测速，特点：抗干扰性好，精度高，与计算机连接，易在线测量和自动化控制）。光电测距（二法：脉冲激光测距（激光发散角小，脉冲持续时间极短，D=ct/2）和相位测距（高精度要求适用））。 透射元器件（成像）中场镜的作用：1.提高边缘光束入射到探测器的能力2.相同条件下，减少探测器的面积3.可让出像面位置放置调制盘4.使探测器光敏面上非均匀光照得均匀化5.当使用平像场镜时，可获得平场像面。大直径测件的双光路测量：1是氦氖激光器，2是旋转扫描镜。由电动机3带动扫描镜以一定的速度旋转。光点F位于会聚透镜8和10的焦点位置。其中4为分光棱镜，5、6、7为反光镜。原理：激光器1发出的一束激光由扫描镜2反射后进入分光棱镜4，分成两束光分别经过透镜8和10，形成与光轴平行的两条细平行光束。两光束通过测量区域进入透镜9和11后，会聚于放臵在透镜9和11焦点处的光电器件GG 1和GG 2上。扫描镜旋转时，光束从上向下扫描。在测量区域内，扫描光束始终与光轴平行。（a）U1a和U2a不同时为“0”或为“1”。与门15和16均不允许计数脉冲CP通过，计数器17和18均不计数，表示直径为正常值D0。（b）光照较长，脉冲宽，在ΔTb这段时间内，这两电压同时为“1”。与门15有计数脉冲通过，脉冲通过的多少与ΔTb成正比。故从计数器17得到的数值比标准直径D0小。（c）光照较短，脉冲窄，在ΔTc内，U1c和U2c同时为“0”，经非门13和14后，与门16能通过计数脉冲，脉冲通过的多少与ΔTc成正比。故从计数器18得到的数值比标准直径D0大。 法拉第电流传感器原理：法拉第电流传感器是利用光纤的磁光效应实现电流测量的，按调制参数分类，则属于偏振调制型。设法拉第材料的长度为l，沿长度方向施加的外磁场强度为H，则线偏振光通过它后偏振方向旋转的角度为θ=VdlH，又H=I/2πR，所以θ=VdlI/2πR，可得θ=VdNI 通过光纤的光偏振面偏转角与被测电流及光纤的匝数成正比，与光纤圈半径大小无关。解调方法的特点是可以有效消除光源强度波动对测量结果的的不利影响。电荷耦合器CCD是半导体集成器件，由MOS光敏元、移位寄存器、电荷转移栅组成。移位寄存器由金属电极、氧化物介质及半导体三部分组成，是MOS结构。在SiO2表面排列多个金属电极a1、b1、c1；… ；an、bn、cn，每三个电极组成一个传输单元，在三个电极上分别加上三相脉冲电压Ua、Ub、Uc 。当t=t1时Ua=U，Ub=0，Uc=U/2，a1、a2、…、an上的电压最高，势阱最深；b1、b2、…、bn上的电压为零，不产生势阱；c1、c2、…、cn的势阱介于两者之间。t=t2时，原来在a1、a2、…、an处的势阱变浅，其电子移向势阱最深的b1、b2、…、bn处。t=t3时， bn变浅，cn处。t=t4时，cn变浅，an处。从t1 到t4为脉冲电压的一个周期，原来在a1极下的电子移向a2极，依此类推。可知，信号向右传输直至输出是一个电荷耦合过程。 大面积激光器的两种改进结构为增益导引型和折射率导引型，它们是为解决侧向辐射和光限制问题而采用的。解决光限制问题的简单方案是将诸如电流限制在一个窄条里，即增益导引型半导体激光器。将一绝缘层介质（SiO2）淀积在P层上，中间敞开以注入电流。电流只能在狭窄的中间带内注入，导致在侧向载流子密度的空间分布，光被限制在条形区域。缺点是功率增大时，光斑尺寸不稳定，模式稳定性也不高。折射率导引型半导体激光器是通过在侧向采用类似异质结的设计而形成的波导，引入折射差，也可解决侧向光限制问题。将P型层得一部分腐蚀掉以形成脊，然后在脊两边沉积一层SiO2以阻截电流流动并形成