光集成(PIC)技术概述.docVIP

光子集成技术概论 摘要：本文详细介绍了的概念、主要应用领域、目前的研究热点及器件的研究进展即将若干光器件集成在一片基片上，器件之间以半导体光波导连接，如集成外腔单稳频激光器，光子开关阵列，光外差接收机和光发射机等(photonic crystals)（图1）为代表的光集成技术是近年来快速发展的前沿成果。近年来，在晶体内部通过引入缺陷来操控光子，也可以在光子晶体的表面来操控光子。这将在光子集成电路上通过光子晶体来操控光子。光子晶体介电常数某些参数周期性变化的纳米结构材料，可产生一个光子带隙（band gap），带隙将会影响光子在材料传播。与半导体的情况类似光子能带结构周期性位势(periodic potential)在介电系数呈周期性排列的三维介电材料光子系统中电磁波经介电函数散射后，某些波段的电磁波强度会因破坏性干涉而呈指数衰减，无法在系统内传递，相当于在频谱上形成能隙，于是色散关系(dispersion relation)具有带状结构，即所谓的光子能带结构(photonic band structures)。具有光子能带结构的介电物质，就称为光能隙(photonic energy gap)系统(photonic band-gap system，简称PBG系统)，或简称光子晶体。 SiCN陶瓷材料形成的光子晶体 图2 半导体能隙和光子能隙比较 图3 光子能带结构 能隙局限电磁波，光子晶体的杂质态多落在能隙内，导引电磁波的可能由于杂质四周都是光子晶体形成的禁区，电磁波在空间分布上只能局限在杂质附近，因此一个点状缺陷(point defect)相当于一个微空腔(micro-cavity)。电磁波便可能沿着这些缺陷传递，就相当于一个波导(waveguide)，于是可以通过引入杂质形成缺陷来控制和操作光子流。光子晶体有表面态（surface states），光子能够受限于这些表面态，表面并不吸收光，这可以被用来制作成新型传感器 图4 图5 图6 　 二、光集成技术现状 1、光子集成芯片 由于光的波长短，光子系统的几何尺寸小，所以小尺寸是光子技术的一大特点（图7）。光子集成的特点是：将有源光电子器件（如半导体激光器、光放大器、光探测器）与光波导器件（分/合波器、耦合器、滤波器、调制器、光开关等）集成在一块半导体芯片上，构成了一种单片全光功能性器件。如，单量子阱激光器中量子点处理元件的尺寸约在十分之一微米之下。光子器件具有三维结构，光子集成芯片制造比二维结构的半导体集成要复杂得多。将激光器、检测器、调制器和其他器件都集成到芯片中，这些集成需要在不同材料多个薄膜介质层上重复地沉积和蚀刻。 图9 Onechip Diplexer的PIC原理示意图 2、PIC技术的现状和主要PIC器件 PIC芯片是用半导体加工（即晶圆加工）。光子集成技术是光纤通信最前沿、最有前途的领域。自1990年以来，密集波分复用系统(DWDM)的大规模应用，使得光通信有了飞速发展。DWDM系统中，多达80个不同波长的激光器调制的数据信号在光纤的一端复用，而后在一根细如发丝的光纤中传送。在光纤的另 一端，光信号被解复用为不同波长，不同波长的数据信号通过光电转换最终进入到计算机。　　在信息传输的过程中，激光器进行发光，光复用器对信号进行复用/解复用，调制器对信号进行编码调制，检测器进行 光电检测等等。2004年，大规模光子集成芯片——一对集成了50个光子器件的芯片呈现在人们的面前。现在，光子集成技术还成功地作出了400G和1.6T的芯片，实现了多达240个光器件的集成。 　　 GaAs P－N 结，在P－N 结的附近，导带中有电子而价带中有空穴，这一小段区域称为“作用区”。如果电子从导带中向价带中跃迁，则将释放光子，并在谐振腔的反馈作用下，产生受激辐射。当然，价带中的电子也可能在光子的激发下跃迁到导带中，即所谓受激吸收，而要产生激光输出自然要求受激发射光子的速率大于受激吸收光子的速率。自1962年半导体砷化嫁（GaAs）同质结激光器问世后，半导体从同质结、单异质结、双异质结到半导体激光器阵列，波长范围履盖了可见光到长波红外。图(5-28b)是台面形管芯激光器的外形结构，管芯的形状有长方形、台面形、电极条形等多种，（图12) 的管芯形状是长方形， P－N 结的厚度仅几十微米，一般是在N型GaAs衬底上生长一薄层P型 GaAs 而形成P－N 结。 图10 图11 图12 ②、集成光波导（导波光路） 由光透明介质（石英玻璃）或光子晶体构成的传输光频电磁波的导行结构（图13，图14），使光波局限在波导及其周围有限区域内传播。实用光波导有光导纤维（见光纤光缆）、薄膜波导、带状波导等三类