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-对TPPCo电化学氧化还原行为影响研究①
第 4 卷 第 4 期 电化学 Vol. 4 No. 4
1998 年 11 月 EL ECTROCHEMISTR Y Nov. 1998
- ①
( )
Br 对 TPP Co 电化学氧化还原行为影响研究
严川伟 林海潮
( 中国科学院金属腐蚀与防护研究所 ,金属腐蚀与防护国家重点实验室 沈阳 110015)
林 祥 钦
( 中国科学技术大学化学系 合肥 230026)
( ) - ( ( ) )
用微电极和薄层循环伏安 CV 技术研究了 Br 对四苯基钴卟啉 TPP Co 在 1 ,2-
摘要
( ) - ( ) ( )
二氯乙烷 DCE 中电化学行为的影响. 发现在较高电位下 ,两个 Br 轴向配位的 TPP Co III
( - ) - ( ) ( ) ( - ) -
Br 2 其一个 Br 发生脱落表现出 TPP Co III Br 的行为特征 ,这被证明是 Br 的氧化所致.
( ) ( ) ( - ) ( ) ( ) ( ) ( - ) ( )
证明了 TPP Co III Br 在约 0. 12 V SCE 处还原 ,而 TPP Co III Br 2 则在大约 Co II /
( )
Co I 还原过程出现的更负的电位处发生还原.
钴卟啉 ,轴向配位 ,溴离子 ,循环伏安
关键词
钴卟啉作为一种重要的模型化合物 ,研究其在配位环境中的电化学行为很有意义. 钴卟啉
[1～5 ] - - ( )
性质受轴向配位体影响的电化学研究已有一些报道 . 我们已探讨了 F 、Cl 对 TPP Co
[6 ,7 ] - ( )
电化学氧化还原的影响 . 作为系列研究的一部分及比较 ,本文报道在 Br 存在下 TPP Co
的电化学氧化还原行为的变化特征.
1 实 验
( ) ( )
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