MOS电路版图举例.PPTVIP

下载本文档

104
0
约小于1千字
约 30页
2017-08-18 发布于天津
举报
版权申诉

MOS电路版图举例.PPT

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

MOS电路版图举例

CMOS工艺流程与MOS电路版图举例 1. CMOS工艺流程 1) 简化N阱CMOS工艺演示flash 2) 清华工艺录像：N阱硅栅CMOS工艺流程 3) 双阱CMOS集成电路的工艺设计 4) 图解双阱硅栅CMOS制作流程 2. 典型N阱CMOS工艺的剖面图 3. Simplified CMOS Process Flow 4. MOS电路版图举例 1) 简化N阱CMOS工艺演示氧化层生长曝光氧化层的刻蚀 N阱注入形成N阱氮化硅的刻蚀场氧的生长去除氮化硅重新生长二氧化硅（栅氧）生长多晶硅刻蚀多晶硅刻蚀多晶硅 P+离子注入 N+离子注入生长磷硅玻璃PSG 光刻接触孔刻铝刻铝 2) 清华工艺录像 N阱硅栅CMOS工艺流程初始氧化光刻1，刻N阱 N阱形成 Si3N4淀积光刻2，刻有源区，场区硼离子注入场氧1 光刻3 场氧2 * 光刻1，刻N阱掩膜版氧化层 P-SUB 光刻1，刻N阱掩膜版光刻胶掩膜版光刻1，刻N阱掩膜版光刻1，刻N阱掩膜版 N阱 P-SUB 光刻2，刻有源区掩膜版二氧化硅掩膜版 N阱光刻2，刻有源区掩膜版二氧化硅氮化硅掩膜版 N阱光刻3，刻多晶硅掩膜版 FOX N阱光刻3，刻多晶硅掩膜版栅氧场氧 N阱光刻3，刻多晶硅掩膜版多晶硅 N阱光刻3，刻多晶硅掩膜版掩膜版 N阱光刻3，刻多晶硅掩膜版多晶硅 N阱光刻4，刻P+离子注入掩膜版掩膜版 P+ N阱光刻5，刻N+离子注入掩膜版 N+ N阱 PSG N阱光刻6，刻接触孔掩膜版 P+ N+ N阱光刻7，刻Al掩膜版 Al N阱 VDD Vo VSS N阱光刻8，刻压焊孔掩膜版钝化层 N阱 N阱 Si3N4 缓冲用SiO2 P-Si SUB N阱有源区有源区 N阱 N阱