PECVD沉积SiO2和SiN!对p!GaN的影响.PDFVIP

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PECVD沉积SiO2和SiN!对p!GaN的影响

第 卷第 期 年 月 ! # 红外与激光工程 #$$% ’()*! +(*# !#$%$’()*(+),$(-./$/.((!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!,-.* #$$% !#$% 沉积’( 和’* 对 + !,-* 的影响 ) ! 1 # 1 ! ! 陈 宇 严丽红 王良臣 中科院半导体研究所 半导体集成技术工程研究中心 北京 # 1* F 1$$$G! ! 贝联 上海 有限公司 上海 # * 9 5 #$$11G5 摘 要 在等离子增强化学气相沉积法 沉积 和 掩蔽层过程中 分解等离子体 ! 9H;I’5 JK# J+! ! O 中浓度较高的 原子使 / 受主钝化 同时在 材料表面发生反应形成浅施主特性的 空位 ! $ ! L MN - 78+ +’ ! 高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的 和 材料 阻碍了 原子

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