两种场发射锥尖的制备工艺及电学特性分析-东南大学学报.PDFVIP

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2017-08-18 发布于天津
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两种场发射锥尖的制备工艺及电学特性分析-东南大学学报

第27 卷第6期东　南　大　学　学　报 Vol.27 No.6 　 1997 年11月 JOURNAL OF SOUTHEAST UNIVERSIT Y Nov. 1997 秦　明　黄庆安　魏同立 ( 东南大学微电子中心, 南京210018) 研究了倒金字填充型锥尖及正向刻蚀硅尖的制备方法、工艺及封装方法等. 并分别测试了这两种场发射锥尖阵列的电子发射特性, 分析表明倒金字填充型锥尖适用于制备高频微波器件, 正向刻蚀的硅尖适用于制备高速开关器件. 场致发射阴极; 键合; 高频; 高速开关 TN 4 1968 . . , A Spindt [ 13] . . [4] [ 5] 300 GHz , GHz . , m . g [ 6] [7] [ 8] , ., , (SDB) , , , . 1 , ; . . . ( 1) , .810 cm N ( 100) , ( 1) : 1) , , 1 100 , 3 000 ; 2) , 4 m4 m, 6 m; 3) EPW , 95 , 30 min(1(a)) ; 4) HF SiO2 , , 1 500 ; ( . : 1997- 01- 21, : 1997- 05- 03. 110 东　南　大　学　学　报第27 卷 5) 5 000 , , , ( 1( )) ; b 6) ( # 7740) , , , 1 500 V, 300 , 1 h(1(c)) ; 7) EPW KOH , 2 , ( 1( ) ) . HF SiO d 图1　倒金字填充型钨尖制备工艺 (2) N ( 100) , 810 , : cm 1) 2 000 SiO2; 2) Si3N4, 1 000 , ; 3) 4 m4 m , 4040; 4) EPW , SiO2 ; 5) , 950 , 3 000 ; 6) HF SiO2 , . 2 , , . , . ( 1) , .(300 ) , 600 , . , 0. 1 0.2 mm ; , . 1. 33 mPa 300 . 2 . (2) , .., 第6 期秦　明等: 两种场发射锥尖的制备工艺及电学特性分析 111 . , . [ 9] . 3(a) . + : N , (31) , HF