工艺流程污染节点.docVIP

硅片生产工艺流程及产污分析 1.工艺原理及产排污节点图 （1） 单晶硅直拉法（CZ）是将硅料装在石英坩埚内，在合理的热场中，于真空或气氛下加热使之熔化，用一个经加工处理过的晶种—籽晶，使其与熔硅充分熔接，并以一定速度旋转提升，在晶核的诱导下，使其具有预期电学性能的单晶体沿籽晶定向凝固、成核长大，从熔体上被缓缓提拉出来。即在专门的拉制炉中将硅料熔化然后缓慢冷却上拉，控制结晶生成一定直径的单晶硅圆棒。单晶硅棒先经切磨表面处理，烘干固定，后在碳化硅和聚乙二醇混合切削液环境中，对硅片进行多线切割，切割后的晶片再通过粗洗并进一步剥片处理后可加工为单晶硅片，单晶硅片再由插片机加工为晶舟片，后经清洗机清洗，检测包装后即为成品单晶硅片。其中单晶CZ炉、粘结烘干炉均采用电加热，硅料为洁净硅料，无清洗废水、废气污染问题，故该生产过程中，无生产废气产生。碳化硅、聚乙二醇混合切削液将全部回用，晶片清洗会产生部分清洗废水，另有少量冷却废水和倒角、滚磨废水产生，其生产工艺流程及污染物排放节点图如下。 单晶硅片加工工艺流程及排污节点图 （2） 多晶硅熔铸法则是最近几年迅速发展起来、在太阳能硅片领域广泛应用的工艺方法。方法是将高纯多晶硅料装在专用坩埚里，放入熔铸炉里，经加热熔化、再以一定的温度梯度整体缓慢冷却定向凝固而生成一个多晶硅硅锭。目前多晶硅锭的常规尺寸为840x840x250mm，一个锭经剖锭机可以切成156x156x230mm的硅块25个。多晶硅块先经切磨处理，后经多线切割、插片、清洗、检验等工序后可加工为成品多晶硅片。其加工方式基本与单晶硅片相同，其生产过程中，无生产废气产生，主要污染为清洗废水，另有少量冷却废水和滚磨废水产生，其生产工艺流程及污染物排放节点图如下。 多晶硅片加工工艺流程及排污节点图 2.产污分析 各生产工序产污环节分析见下表。 产排污环节分析 种类 （环节） 污染因子 切断，，，磨等机械加工 颗粒物 废水 倒角，，粗，清洗 COD，SS等 固废 切割，磨边等 检验 检验不合格次品 铸锭 废坩埚 包装 包装边角废料 噪声 剖锭机、滚磨机、循环水站冷却塔、硅棒热破碎设备、硅片线切机 / 坩埚生产工艺流程及产污分析 1.工艺原理及操作说明 （1）工艺原理 注浆成型工艺是石英陶瓷传统的成型技术，即把调制好的石英陶瓷料浆注入石膏模具中，利用石膏模的微孔吸水作用得到陶瓷坯体。石英陶瓷泥浆具有固相含量高、流动性好、悬浮性好等特点，产品密实无气孔，且质量稳定，成品率较高，在80%左右。另外，在生产过程中，不使用任何对人体及环境有害的物质，生产安全、环保。这是一种比较成熟且成本较低的方法。 （2）操作过程说明 ； ③球磨和终检：烧好的产品用数码磨床磨底和倒角，达到产品要求的精度后去终检，合格的产品包装入库，需要修补的产品经判定后修补入库。 2.工艺流程及产污节点图 3.产污分析 各生产工序产污环节分析见下表。 产污环节分析 种类 （环节） 污染因子 原料进检 烧成隧道窑烟气 、x 废水 均化，清洗冷却车磨冲洗冷却 固废 均化，真空注塑清洗冷却，车磨 边角料 噪声 球磨、均化、车磨工段等生产设备 / 废水排放标准mg/L（除pH外） 序号 污染物 最高允许排放浓度 标准来源 一级 三级 接管标准 1 pH值 6～9 6～9 6～9 GB8978-1996《污水综合排放标准》，除pH值外，其余为mg/L 2 COD 100 500 250 3 BOD5 20 300 120 4 悬浮物（SS） 70 400 180 5 氨氮 15 - 25 6 氟化物 10 20 - 6）硅料破碎粉尘 硅料破碎废气处理工艺流程图 硅片淋洗废气处理工艺流程图 （8）硅片喷砂打磨及钢线切割废气 硅片喷砂打磨及钢线切割废气处理工艺流程图 窑炉废气车间粉尘 坩埚窑炉废气及车间粉尘处理工艺流程图 （9喷涂废气 坩埚喷涂废气处理工艺流程图