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1998-AlGaN-GaN量子限制斯塔克效应
RAPID COMMUNICATIONS
PHYSICAL REVIEW B VOLUME 58, NUMBER 20 15 NOVEMBER 1998-II
Quantum confined Stark effect due to built-in internal polarization fields
in Al,GaN/GaN quantum wells
¨
M. Leroux, N. Grandjean, M. Laugt, and J. Massies
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CNRS-Centre de Recherche sur l’ Hetero-Epitaxie et ses Applications, Rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France
B. Gil and P. Lefebvre
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CNRS-Groupe d’ Etude des Semiconducteurs, Universite de Montpellier II, Case Courrier 074, 34095 Montpellier Cedex 5, France
P. Bigenwald
´ ´
Laboratoire de Physique des Materiaux, Universite d’ Avignon, 84000 Avignon, France
Received 13 May 1998; revised manuscript received 20 July 1998
Al,GaN/GaN quantum wells have been studied by temperature-dependent luminescence and reflectivity.
The samples were grown by molecular beam epitaxy on 0001 sapphire substrates, and well widths were
varied from 3 to 15 monolayers ML’s with a 2-ML increment, thus providing a reliable data set for the study
of the well width dependence of transition energies. The lat
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