功率VDMOS器件的研究与发展杨法明.pdf

功率ＶＤＭＯＳ器件的研究与发展 ， ， ， ， ， 杨法明 杨发顺 张锗源 李绪诚 张荣芬 邓朝勇 （ ， ） 贵州大学 理学院 电子科学系 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室 贵阳 ５５００２５ 　 ： （ ） 。 摘要 简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管 ＶＤＭＯＳ 的研究现状和发展历史 针对功率 ， （ ＶＤＭＯＳ器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾 重点介绍了几种新型器件结构 包括沟槽栅 、 、 ） ， ＶＤＭＯＳ 超结 ＶＤＭＯＳ 半超结 ＶＤＭＯＳ 的工作原理和结构特点 以及其在制造工艺中存在 。 。 （ 的问题 对不同器件结构的优缺点进行了比较分析 对一些新型衍生结构 包括侧面多晶硅栅 、 ） ， ＶＤＭＯＳ 边氧沟道ＶＤＭＯＳ和浮岛 ＶＤＭＯＳ 的特点进行了分析 叙述了新型 ＳｉＣ材料在 ＶＤ － ， 。 ＭＯＳ 器件中应用的最新进展 并指出了存在的问题和未来发展趋势 ： ； （ ）； ； ； 关键词 功率器件 垂直双扩散功率场效应晶体管 ＶＤＭＯＳ 击穿电压 导通电阻 ＳｉＣ材料 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） ＴＮ３８６．１ Ａ １６７１－４７７６ ２０１１ １０－０６２３－０７ 　 　 ＲｅｓｅａｒｃｈａｎｄＤｅｖｅｌｏ ｍｅｎｔｏｆＰｏｗｅｒＶＤＭＯＳＤｅｖｉｃｅｓ 　 　 ｐ 　 　 　 　 ， ， ， ， ， Ｙａｎ Ｆａｍｉｎ Ｙａｎ Ｆａｓｈｕｎ Ｚｈａｎ Ｚｈｅ ｕａｎ ＬｉＸｕｃｈｅｎ Ｚｈａｎ Ｒｏｎ ｆｅｎ Ｄｅｎ Ｃｈａｏ ｏｎ ｇ ｇ ｇ ｇ ｙ 　 ｇ ｇ ｇ ｇ ｙ ｇ 　 　 　 　 　 （ ， Ｋｅ Ｌａｂｏｒａｔｏｒ ｏ Ｍｉｃｒｏ ＮａｎｏＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓａｎｄＳｏ ｔｗａｒｅＴｅｃｈｎｏｌｏ ｏ ＧｕｉｚｈｏｕＰｒｏｖｉｎｃｅ ｙ ｙ ｆ － 　 　 　 ｆ 　 ｇｙ ｆ