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标准GaN外延生长流程 ㈠ 高温除杂 反应室炉温升高1200℃,通入氢气,高温、燃烧除去衬底上的杂质,时间10min。 标准GaN外延生长流程 ㈡ : 长缓冲层 炉温降底控制在530℃时,在蓝宝石衬底上生长一层300A厚的GaN缓冲层，时间3min。 标准GaN外延生长流程 ㈢ 退火 炉温升至1150℃，时间7min，将低温长的非晶缓冲层通过高温形成多晶GaN 缓冲层。 标准GaN外延生长流程 ㈣ 长GaN单晶 将炉温控制至1160℃,在GaN缓冲层上生长一层0.5μm厚的GaN单晶 。 标准GaN外延生长流程 ㈤ 长N型GaN 将炉温控制至1160℃,长GaN 的同时掺Si(浓度5－108/cm3),时间1小时。 标准GaN外延生长流程 ㈥ 长多量子阱MQW 炉温降至750℃,先长一层InGaN(20A),接着长一层GaN (140A),连续长8个InGaN和 GaN势阱势垒pair(160A)，整个MQW厚度1200A.调整掺In的浓度可调整波长，用时约80min. 标准GaN外延生长流程 多量子阱结构 量子阱为LED的发光区 标准GaN外延生长流程 ㈦ 长P型GaN ⒈炉温升至930℃,长GaN的同时掺Mg(浓度5－1019/cm3),长2000A厚,时间20min。 ⒉长接触层 炉温降至800℃,长GaN的同时掺Mg(浓度1020/cm3),长150A厚,时间2min。 ⒊激活 炉温降至600℃,加热20min,打破Mg－H键,激活Mg的导电性。 ⒋降温 炉温降至150℃，时间 30min。 * * 蓝宝石衬底(430±5μm) 高温、通H2 10min 蓝宝石衬底(430μm) GaN缓冲层300A 蓝宝石衬底(430μm) GaN缓冲层300A 1150℃ 退火 蓝宝石衬底(430μm) GaN单晶 0.5μm 蓝宝石衬底(430μm) N型GaN 2.5μm 蓝宝石衬底(430μm) MQW多量子阱 GaN势垒140A InGaN势阱20A 1200A 1个pair 蓝宝石衬底(430μm) GNa N－GaN P型GaN 3.4μm 藍寶石基板 緩衝層 氮化鎵 N-Type-氮化鎵-矽掺雜 (氮化鎵/氮化銦鎵)x5-淺井結構 (氮化鎵/氮化銦鎵)x8-量子井結構 P-Type-氮化鋁鎵-電流阻擋層 P-Type-氮化鎵-鎂掺雜 P-Type-氮化銦鎵-金屬接觸層 外延結構示意圖 藍寶石基板 磊晶前 磊晶後 In GaN:Mg sapphire GaN buffer N-GaN In GaN well GaN barrier P-GaN:Mg Al-GaN:Mg