微电子器件第四章功率特性.ppt

4.4 发射极电流集边效应 有关定义均以发射极宽度等于有效宽度为前提。 当发射极宽度大于有效宽度时，可认为中心附近区域（Seff之外区域)对器件工作不起作用，或没有电流（实际很小）。 上述讨论以y=0为坐标原点，但Seff是从发射极边缘向中心计算的。 2.发射极有效宽度 4.4 发射极电流集边效应 3.发射极有效长度 定义：沿极条长度方向，电极端部至根部之间压降为kT/q时所对应的发射极长度称为发射极有效长度 作用：类似于基极电阻自偏压效应，但沿Z方向，作用在结的发射区侧 计算：与基极电阻相同求法求出发射极条等效电阻后,按定义求出。 图4-15 沿发射极条长方向的电流分布 4.4 发射极电流集边效应 基极电阻的变化 大电流下，计算基极电阻时，发射极电流均匀分布的假设不再成立。由于集边效应，使得与Ie复合的基极电流也不再线性减小 大注入效应所引起的基区电导调制效应使基区电阻大为减小 有效基区扩展效应也使基区电阻减小 总之，大电流下，基极电阻会大为减小。 但一般难于计算，可通过实验测得。 由于电流集边效应，使得在大电流情况下晶体管的电流容量不是取决于发射区面积，而是取决于发射区的周长。为此，特定义单位发射极周长上的电流为线电流密度： 4.4 发射极电流集边效应 4.发射极单位周长电流容量——线电流密度 上式中JCM为保证不发生基区扩展效应或基区大注入效应的最大(面)电流密度。由于二者数值不等，在设计晶体管时应按较小的电流密度做为计算依据。一般说来，合金型晶体管基区杂质浓度远远低于集电区杂质浓度，容易发生基区电导调制效应。而外延平面(台面)管，因基区杂质浓度远远高于集电区杂质浓度，易于发生向集电区延伸的有效基区扩展效应。 4.4 发射极电流集边效应 4.发射极单位周长电流容量——线电流密度 按基区电导调制效应计算，定义：注入到基区eb结侧边界少子浓度达到基区杂质浓度时所对应的发射极电流密度为受基区电导调制效应限制的最大发射极电流密度。 对于均匀基区管： 对于缓变基区管： (4-1) 4.4 发射极电流集边效应 4.发射极单位周长电流容量——线电流密度 按有效基区扩展效应计算，定义：基区开始扩展时的临界电流密度为最大集电极电流密度。 对于均匀基区管： 对于缓变基区管： 强场 弱场 图4-6 基区宽度随电流的变化 4.4 发射极电流集边效应 在晶体管设计时，应按上述各式求出发生基区电导调制效应及有效基区扩展效应的最大电流密度，选其中较小者作为设计的上限，以保证在正常工作时晶体管中不会发生严重的基区电导调制效应及基区扩展效应。 4.4 发射极电流集边效应 在功率晶体管中，常常会遇到“改善大电流特性”的问题。所谓改善大电流特性，就是指设法将b0或fT开始下降的电流提高一些，或者说是如何提高集电极最大工作电流ICM的问题。 对于图形确定的晶体管，改善大电流特性主要是提高发射极单位周长电流容量(即提高线电流密度)，可以考虑的途径是： ①外延层电阻率选得低一些，外延层厚度尽可能小些； ②直流放大系数b0或fT尽量做得大些; ③在允许的范围内适当提高集电结的偏压及降低内基区方块电阻。 其中①、②两项可调整的范围大些，但第①项又受击穿电压指标的限制，第②项受成品率等的限制，b0、fT也不能做得太高；考虑到发射结扩散及发射结击穿电压，内基区方块电阻又不能做得太小，所以提高线电流密度的限度也是有限的。如实在满足不了要求，只能靠加长发射极总周长来改善大电流特性。 4.4 发射极电流集边效应 4.5 晶体管最大耗散功率PCM 最大耗散功率是从热学角度限制晶体管最大输出功率的参数。这是设计、制造大功率晶体管必须考虑的重要参数之一。 晶体管具有功率放大作用，并不是说它本身产生能量，晶体管只是把电源的能量转换成输出信号的能量，使输出信号功率Po比输入信号功率Pi大Kp倍(Kp＝ Po/Pi)。在转换过程中晶体管本身还要消耗一定的功率Pc。 4.5 晶体管最大耗散功率PCM 晶体管耗散的功率PC转换成为热量。一部分散发到环境中；一部分使结温升高。 晶体管在进行功率放大时，eb结正偏，cb结反偏，cb结的结电阻远大于eb结的结电阻，故晶体管的功率消耗主要在集电结，发热也主要在集电结。 晶体管最大耗散功率PCM不仅限制了晶体管的工作点，也通过转换效率限制其输出功率。 晶体管最大耗散功率受热阻、最高允许结温和环境温度限制。 4.5 晶体管最大耗散功率PCM 热阻 如果晶体管耗散功率所转换的热量大于单位时间所能散发出去的热量，多余的热量将使结温Tj升高。 如果环境温度记为TA，则管芯每单位时间向外部散发的