第6章-复旦大学半导体器件物理.pdf

章节 第一章 引言 第二章 半导体器件物理基础 第三章 MOS FET 基本结构和原理 第四章 短沟道MOS 器件 第五章 存储器件基础（不挥发挥发） 第六章 异质结器件与功率器件 第七章 SOI结构和SOI CMOS 器件 第八章 金属-半导体接触和MESFET Dr. P.-F. Wang Advanced semiconductor devices and physics 2010.06 Fudan University 章节  异质结简介及基本原理  异质结的应用  功率器件简介及基本原理  Power MOSFET  IGBT 功率器件的外围/终端保护设计 Dr. P.-F. Wang Advanced semiconductor devices and physics 2010.06 Fudan University 章节  异质结简介及基本原理  异质结的应用  功率器件简介及基本原理  Power MOSFET  IGBT Dr. P.-F. Wang Advanced semiconductor devices and physics 2010.06 Fudan University Why heterojunction? 非硅基器件可以突破硅基器件的极限。 20nm 硅基晶体管逐渐遇到极限， 性能难以再提高。 非硅材料逐渐加入到逻辑器件中。 High mobility Dr. P.-F. Wang Advanced semiconductor devices and physics 2010.06 Fudan University Hetero junction • 广义异质结：任何不同种类材料构成的接触. Material 1 Material 2 Al Si • 半导体异质结：两种不同半导体材料接触构成半导体异质结 semiconductor 1 Ga As Semiconductor 2 Ge-Si; Ge-AsGa; GaAs-AlGaAs; -Si/Si 半导体异质结 同型异质结 异型异质结 如：p型GaAs上形成n型AlxGa1-xAs 由于H－J 由两种不同材料构成，在其界面将形成奇特的势垒和界面态。 因此其电学性质、光学性质与同质结不同。 Dr. P.-F. Wang Advanced semiconductor devices and physics 2010.06 Fudan University Main advantage: High mobility v = µ*E Dr. P.-F. Wang 迁移率高，可以提高驱动电流，加快电路速度 Advanced semiconductor devices and physics 2010.06 Fudan Universit