包含硅量子点的富硅SiNx薄膜结构与发光特性.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 12 (2013) 126801 包含硅量子点的富硅SiNx 薄膜结构与发光特性* † 廖武刚 曾祥斌 文国知 曹陈晨 马昆鹏 郑雅娟 ( 华中科技大学光学与电子信息学院, 武汉 430074 ) ( 2012年11月15 日收到; 2013年2月24 日收到修改稿) 采用等离子体增强化学气相沉积法, 以NH3 与SiH4 为反应气体, n 型单晶硅为衬底, 低温(220 ◦C) 沉积了富硅 氮化硅(SiN ) 薄膜. 在N 氛围中, 于500—1100 ◦C 范围内对样品进行了热退火处理. 采用Raman 光谱技术分析 x 2 了薄膜内硅量子点的结晶情况, 结果表明, 当退火温度低于950 ◦C 时, 样品的晶化率低于 18%, 而当退火温度升为 1100 ◦C, 晶化率增加至53%, 说明大部分硅量子点都由非晶态转变为晶态. 实验通过Fourier 变换红外吸收(FTIR) 光谱检测了样品中各键的键合结构演变, 发现Si—N 键和Si—H 键随退火温度升高向高波数方向移动, 说明了薄膜 内近化学计量比的氮化硅逐渐形成. 实验还通过光致发光(PL) 光谱分析了各样品的发光特性, 发现各样品中均有5 个发光峰, 讨论了它们的发光来源, 结合Raman 光谱与FTIR 光谱表明波长位于500—560 nm 的绿光来源于硅量子 点, 其他峰则来源于薄膜内的缺陷态. 研究了硅量子点的分布和尺寸对发光带移动的影响, 并根据PL 峰位计算了硅 量子点的尺寸, 其大小为 1.6—3 nm, 具有良好的限域效应. 这些结果有助于制备尺寸不同的硅量子点和基于硅量子 点光电器件的实现. 关键词: 硅量子点, 氮化硅薄膜, 光致发光, Fourier 变换红外吸收 PACS: 68.55.−a, 68.65.Hb, 78.67.Bf DOI: 10.7498/aps.62.126801 3 带来的尺寸效应导致了发光的产生 . 研究发现, 1 引言 采用不同的方法沉积氮化硅, 其结构相差较大, 导 致其发光的主要因素也不同, 故需要对各工艺制备 基于量子尺寸效应, 多种硅纳米结构的发光材 的氮化硅薄膜的发光机理进行深入的研究. 制备含 1 料表现出优于体硅材料的发光性能 , 为实现硅 硅量子点的SiNx 方法有很多种, 包括低压化学气 基光电器件提供了新的途径. 近年来, 很多学者对 相沉积(LPCVD)、等离子体增强型化学气相沉积 含硅量子点的SiNx 薄膜发光特性进行了大量的研 (PECVD)、磁控溅射法、脉冲激光沉积技术(PLD) 究 2−4 . 实验发现嵌入在氮化硅的硅量子点在短 等, 目前利用PECVD 制备硅量子点处于主流趋势. 波范围具有很高的发光效率, 且光发射波长在可见 5 一般情况下, PECVD 沉积的氮化硅还要经过热退 光谱范围内连续可调 , 这使其成为一种非常有 火、激光辐射等方法处理以便硅量子点的形成和 应用前景