第一课 8086程序设计第二课 MCS-51程序设计第三课 微机基.ppt

第一章 8086程序设计 第二章 MCS-51程序设计 第三章 微机基本系统的设计 第四章 存贮器与接口 第五章 并行接口 第六章 计数器、定时器与接口 第七章 显示器与键盘接口 第八章 串行通信及接口 第九章 数模转换器和模数转换器接口 本章知识点 常用存贮器* 微处理器与存贮器的连接* 存贮器信息的断电保护** 本章知识点 常用存贮器* 微处理器与存贮器的连接* 存储器信息的断电保护** 常用存贮器 只读存储器 只读存储器 只读存贮器（ROM）的信息在制造时或通过一定的编程方法写入， 在系统中通常只能读出不能写入； 在断电时，其信息不会丢失； 它用来存放固定的程序及数据，如监控程序、数据表格等。 只读存储器 只读存储器 EPROM 能够重复编程 光檫除，整片一起檫除 写入数据的字节数无限制 用编程器编程 只读存储器 只读存储器 2764 工作方式 只读存储器 由于 EPROM 的擦或写均需专用设备，在使用时即使只要求修改一个或少数几个数据也需要将其从系统中取出，编程后再装入系统， 只读存储器 光擦除的EPROM用于存放程序或固定的数据，通常只需采用其读出工作方式; -CE 为片选信号; -OE 为程序存储器的读信号。 只读存储器 EPROM AT27C256R 32K X 8字节 存储器 只读存储器 27C256R工作方式 只读存储器 只读存储器 E2PROM 能够重复编程 电檫除，在写入的同时檫除 字节与页（64字节）的写入方式 写入包括了数据锁存与编程 编程时间10mS 可在系统中编程 只读存储器 E2PROM AT28C256 32K X 8字节 存储器 只读存储器 AT28C256的工作方式 只读存储器 E2PROM AT28C256的数据读出类似于静态RAM（SRAM）的数据读出，只需提供地址信号和读控制信号即可。 当-CE和-OE为低，-WE为高时，存储在由地址信号决定的存储单元内的数据呈现在数据输出端。 只读存储器 AT28C256的数据写分为字节写入和页写入两种模式。 在器件内包含了一个64字节的页寄存器，允许最多写入64个字节（一页）的数据。 写入操作包括数据锁存和编程2个过程，写周期最大为10ms。在写入操作的同时，原先的数据即被擦除。 AT28C256不需提供额外的高编程电压，外部只需提供5V的电压即可。 只读存储器 在字节写入模式时，一个字节的数据先被锁存，接着进行编程操作。 当-OE为高时，如-CE为低、-WE输入一负脉冲或-WE为低、-CE输入一负脉冲，写周期开始。 -CE和-WE相或，其下降沿锁存地址信号，上升沿锁存数据信号。 字节写周期开始后，时序自动控制编程操作完成。 只读存储器 在页写入模式时，允许1到64个字节的数据在一个编程周期写入。 页写入操作的开始类似于字节写入，在第一个字节的数据锁存后，接着输入1-63个额外的字节，每个接着的字节必须在前一个字节结束后的150 μs（字节装入周期）之内。 如超过字节装入周期的规定时间，AT28C256将终止数据写入，并开始内部编程操作。 只读存储器 只读存储器 Flash Memory 能够重复编程 电檫除，在写入的同时檫除 整页（64字节）的写入方式 写入包括了数据锁存与编程 编程时间10mS 可在系统中编程 只读存储器 Flash Memory AT29C256 32K X 8字节 存储器 只读存储器 AT29C256的工作方式 只读存储器 AT29C256的编程基于整页操作方式，即先通过写操作将64字节（一页）的内容装入器件，然后同时编程。因此，编程操作包括了数据装入和编程两个部分。 只读存储器 AT29C256的整页编程方式要求在一页中的一个数据需修改，整个页的数据必须都装入器件。 在编程时，一页中未装入的数据将为不确定数据。 随机存取存储器 随机存取存储器 随机存取存贮器可根据需要写入或读出数据。 随机存取存储器可以分为静态RAM、铁电存储器（FRAM）及动态RAM。 随机存取存储器 随机存取存储器 SRAM 能够重复编程 电檫除，在写入的同时檫除 字节与页（64字节）的写入方式 写入包括了数据锁存与编程 编程时间10mS 可在系统中编程 随机存取存储器 SRAM 6264 8K X 8字节 存储器 随机存取存储器 6264的工作方式 随机存取存储器 静态 RAM用于存放数据或作为程序运行时工作单元，因此在使用时不仅需利用它的读出方式，还需用到它的写入方式 CS信号为片选信号 -OE为存储器读出控制信号 -WR为存储器写入控制信号 随机存取存储器 随机存取存储器 FRAM 信息在掉电后不会丢失 读写时序与S