第六章电介质陶瓷.ppt

特种陶瓷材料;第6章 介电陶瓷; ; ; ;第6章 介电陶瓷;第6章 介电陶瓷;1. 介电常数;Q —平行板间的电荷 V —平行板两端的电压 A —平行板面积 d —平行板间的距离 ε0 —真空介电常数：8.854×10－12 F/m; 当在两平板之间插入一种介质（材料）时，电容C将增加，此时电容 C 与真空介质时该电容器的电容量 C0 的比即为相对介电常数k：;2. 极化;陶瓷和玻璃中共有 4种 极化机制;电子极化 是由于在电场作用下带负电的电子云重心相对于带正电的原子核发生偏移而产生，这种极化发生在很高的频率下（1015 Hz），即紫外线范围内。;偶极子极化 在外场下一些离子或分子偶极子定向排列而产生一个净偶极矩，因此也称之为取向极化。 有两种情况： a. 含永久偶极矩的分子可以在弹性回复力的作用下在平衡位置周围转动。 b. 偶极子在两个相同平衡位置间的转化，某些带电粒子在外场作用下在晶格间隙位中移动而产生的定向极化。;界面或空间电荷极化 当带电载流子因物理势垒影响而阻碍了电荷迁移时发生的极化。 ; 由于电子极化、原子极化和离子极化发生在光波范围内（紫外、红外），故在考虑电介质的电路特性时仅考虑发生在10-3～10范围内的偶极子极化和界面极化。;3 介电损耗;损耗来自两方面： ①有一些带电质点在外场作用移动而引起漏导。 ②与偶极子转动和振动相关的能量损耗。;由图可得(式推导详见P122) I1／Ic＝tanδ ;损耗因子的实际应用 在电力工业中，损耗角是一项反映高压电气设备绝缘性能的重要指标。介损角的变化可反映受潮、劣化变质或绝缘中气体放电等绝缘缺陷，因此测量介损角是研究绝缘老化特征及在线监测绝缘状况的一项重要内容。　　;　　介质损耗因子的作用 　在绝缘设计时，须注意绝缘材料的tanδ。tanδ过大会引起发热，使绝缘加速老化，甚至可能导致热击穿。 测tanδ可判断电气设备劣化的进程，故tanδ的测量是电气设备绝缘试验中的一个基本项目。 　研究温度对tanδ的影响，可使工作温度下tanδ值最小。 　极化损耗随频率升高而增大，当电源中出现高次（如3次、5次）谐波时，就很容易造成电容器绝缘材???因过热而击穿。;4 介电强度;4 介电强度;6.1.2 材料的非线性介电性质;6.1.2 材料的非线性介电性质;;6.1.2 材料的非线性介电性质;6.1.2 材料的非线性介电性质;电畴可利用以下方法观测;6.1.2 材料的非线性介电性质;a 移除电场后晶界处的残余电畴 SEM;铁电理论——Curie－Weiss定律 著名的居里—韦斯定律;Curie－Weiss定律另一种表示;铁电体晶体结构;产生自发极化 ;6.1.2 材料的非线性介电性质; ;电滞回线;铁电(磁)体的电(磁)滞回线;6.1.2 材料的非线性介电性质; ; 低介电常数的介电材料（low-K材料）通常用于制作绝缘器件、基片、高频或大电流电容器。 这类陶瓷主要集中在MgO－Al2O3－SiO2三元系统内。;6.2.1 滑石瓷;6.2.2 镁橄榄石瓷;6.2.3 堇青石瓷;6.2.4 氧化铝瓷; 95 氧化铝陶瓷最重要的用途是用于制造火花塞，要有良好的抗热震性和电学性能。通常要承受加工过程中所遇到的机械冲击和引擎每次重复点火时所产生的热冲击。氧化铝陶瓷须在1MV／m的电场下具有足够的绝缘性能，且表面应保持非常干净，以减少打火花现象。 ;有关氧化铝陶瓷的称谓： 高铝瓷？ 刚玉瓷？ 一般说高铝瓷或氧化铝瓷都包含什么瓷？ ;6.2.5 氧化铍瓷;添加剂：MgO、Al2O3、CaO 和SiO2等。 烧结工艺：一般的电子陶瓷工艺。因其熔点高达2570℃，故其烧结温度很高。为提高制品的致密度，可采用热压烧结。原料氧化铍粉末需在1800℃进行预烧。;特点及用途 机械强度比氧化锆瓷稍低，比镁橄榄石大。高的介电性能、优良的导热性，可用来制作大功率晶体管的管壳、管座、散热片、大功率集成电路和微波集成电路的基片、微波输出窗等；密度小，在空间技术中亦有使用价值；又由于它的绝缘电阻高、介电系数小，可作雷达防护罩，以使电磁波的反射减小。 缺点 粉末有剧毒，生产受限，生产需采取特殊的防护措施。;6.2.6 氮化硼瓷;6.2.6 氮化硼瓷; ; 介电常数k在12以上的非铁电体陶瓷，由于其主要用于电容器制造，故亦被称为非铁电电容器陶瓷。;介电常数的温度系数αε ——介电常数随温度的变化率;1、金红石瓷 2、钛酸钙瓷 3、钛酸镁瓷 4、锡酸钙瓷 ;6.3.1 金红石瓷 ;★中等介电常数介电陶瓷;金红石瓷工作温