对向靶磁控溅射纳米氧化钒薄膜的热氧化处理-天津大学期刊中心.PDFVIP

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  • 2017-08-19 发布于天津
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对向靶磁控溅射纳米氧化钒薄膜的热氧化处理-天津大学期刊中心.PDF

对向靶磁控溅射纳米氧化钒薄膜的热氧化处理-天津大学期刊中心

第 42 卷 第 8 期 天 津 大 学 学 报 Vol.42 No.8 2009 年 8 月 Journal of Tianjin University Aug. 2009 ▋ 对向靶磁控溅射纳米氧化钒薄膜的热氧化处理 1,2 1 1 1 梁继然 ,胡 明 ,陈 涛 ,刘志刚 (1. 天津大学电子信息工程学院,天津 300072 ; 2. 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083) 摘 要 :采用直流对向靶磁控溅射方法制备低价态纳米氧化钒薄膜,研究热氧化处理温度和时间对氧化钒薄膜的组 分、结构和电阻温度特性的影响.采用 X 射线光电子能谱 (XPS)、X 射线衍射 (XRD)和原子力显微镜 (AFM)对氧化钒 薄膜的组分、结晶结构和微观形貌进行分析,利用热敏感系统对薄膜的电阻温度特性进行测量.结果表明,经 300~ 360,℃热处理后,氧化钒薄膜的组分逐渐由 V2O3 和 VO 向 VO2 转变,薄膜由非晶态变为单斜金红石结构,具有金属半 导体相变性能;增加热处理温度后,颗粒尺寸由 20,nm 增大为 100,nm ,薄膜表面变得致密,阻碍氧与低价态氧化钒的进 一步反应,薄膜内 VO2 组分含量的改变量不大;增加热处理时间后,薄膜内 VO2 组分的含量明显增加,相变幅度超过 2 个数量级. 关键词 :直流对向靶磁控溅射;纳米氧化钒薄膜;热氧化处理 中图分类号:O484 文献标志码 :A 文章编号 :0493-2137 (2009)08-0721-06 Thermal Oxidation Annealing on Nanovanadium Oxide Thin Film Deposited by Direct Current Facing Targets Magnetron Sputtering 1,2 1 1 1 LIANG Ji-ran ,HU Ming ,CHEN Tao ,LIU Zhi-gang (1. School of Electronic Information Engineering,Tianjin University ,Tianjin 300072 ,China ;2. State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics ,Institute of Semiconductors ,Chinese Academy of Sciences ,Beijing 100083 ,China) Abstract :In order to study the effects of thermal oxidation annealing temperature and time on nano vanadium oxide thin films ,low valence vanadium oxide thin films were deposited o

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