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2017-08-21 发布于上海
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1.46μm room-temperature emission from InAsInGaAs quantum dot nanostructures

OmELECTRON卫CSL】巳rIERS V01．3 2007 No．3，15May 1．46 emissionfrom pmroom·temperature dotnanOStrUCtUreS· quantum LSersvalli”，P SFrenchl Frigeri，VAvenzlnl，and delleScienze CNR—IMEMInstitute,Parco37／a,1-43100 Parma，Italy 29November (Received 2006) We a onInAs／InGaAsnanostmcturesmolecularbeam onlnGaAs QDs buffers， presentstudy grownby epitaxy metamorphic thatare soastodetermine of thestrain shifttheluminescenceemissiontowardsthe1．5 designed QDand，then，to pm strain embedthe inh舢AsorGaAsbarriersinadditiontotheInGaAs QDs region(QDengineering)．Moreover，we orderto activation increasethe forconfinedcarrierthermal reducethethermal confininglayers，in energy escape；thus，we ofthe loom emissioninthe quenchingphotoluminescence，whichpreventstemperature longwavelengthrange．Westudy the of asemission barrier we andactivation thicknessand and dependenceQDproperties，suchenergy energy,on height discusshowitis to forthebarrier--inducedemissionblue·-shift of strain possiblecompensate QD QD takingadvantage c