2008年nand flash位增长率达到149%3q08仍将呈现供过于求.pdfVIP

兰些 垫 塑 相当谨慎。 第二财季即将结束需求趋势似乎非常正常．Pc 出货量符合预期．尽管服务器仍然有第一财季结转的 一些库存。笔记本电脑的情况也符合预期尽管年 初元件和电池方五出现一些问题。 内存继续拖累整体供应链因为其销售情况不稳 定尤其是DRAM市场的形势非常不确定。现货市场 价格下降但供应增长将在下半年减慢。 第一季度手机开局艰难当时发迭市场的需求减 弱，被新兴市场比较强劲的销售所抵消。第二季度仍 然有些疲软。早期指标指向第一季度遇到的产品组合 *#{■·‘#I，c*ⅣHm舢#7月 口2±#自}*＆《÷∞n■《# 反转问题即低端手机表现好于高端手机。第三季度 中国需求情况仍然令人担忧。 业上面的乌云不投下更大阴影的话。 预计2008年第二季度过剩库存与第一季度持平。 囤2所示为lsup叫公司对全球电子供应链中的库 为了迎接需求通常比较强劲的下半年工厂产量在第 存天数和过剩库存的估计。 RosemaFar 二季度开始提高。这符合正常的季节趋势．半导体供 ry 应商通常在第二季度准备建立库存。尽管预计过剩库 存与2008年第一季度持平但由于需求强于向来是淡 2008年第三季度库存追踪报告该报告详细研 季的第一季度预计过剩库存将略有下降。预计下半 究了电子供应链中半导体库存状况。查询请通过电子 年较高的过剩库存水平将会下降如果笼罩在手机产 邮件analy蛐nq叫}es@lsupDIi com进行联系。● 根据集邦科技(DRAMexchange)报告在次货风2008下半年NAND F】ash相关产品的旺季整体需求可能 暴延烧通膨隐忧及大陆天灾的影响下闪存fNAND 不如往年的增长幅度而且可能会递延到第三季中期 毗sh)终端应用需求如手机音乐播放器fMP3)记忆 后才会开始逐渐回温第三季的NANDFlash仍将呈现 卡等产品的传统淡季效应自第二季中期起更加明显 供过于求的状况。 使得供过于求缺口也因此更形扩大．从而抵消了海力 F 士(Hy…)在4月初宣示将进行NAND ash减产的激励 DRAM现货价维持疲弱走势 效应．因此价格在4月份小幅反弹后．于6月份因季底 效应加上需求疲弱．单月再度下跌迭20％以上。 DDR21Gb 667MHz现货价在去年年底以187美 由于目前主要的供货商仍尚未变原先设定的2。08元落底后 一路反弹至5月28目的229美元涨幅约 年NAND F』ash产出增长目标因此集邦预怙2。08年整 22％尽管之后小幅下滑但在7月9日仍守在201美元 体NAND F『ash供给年增长率将达到149％但有鉴于 关卡 但在7月21日续跌至197美元。 万方数据 产-Ik动向 根据sEMII国际半导体设 …一一一…一一——。一一 1‘ 1m3 1+“1。 。瑚 toB¨l订单出货报告． 2008年2哪4 2” 1·38 1·2∞4 o鸵