cl2ar感应耦合等离子体刻蚀si工艺研究 inductively coupled plasma etching of si by cl2ar.pdfVIP

下载本文档

6
0
约1.46万字
约 5页
2017-08-21 发布于上海
举报
版权申诉

cl2ar感应耦合等离子体刻蚀si工艺研究 inductively coupled plasma etching of si by cl2ar.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

cl2ar感应耦合等离子体刻蚀si工艺研究 inductively coupled plasma etching of si by cl2ar

a叶强2012年第25卷第9期 ElectronicSci．＆ Tech．／Sep．15．2012 Cl2 感应耦合等离子体刻蚀 Si工艺研究郭帅，周弘毅，陈树华，郭霞 (北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京 100124) 摘要采用C1，／Ar感应耦合等离子体 (ICP)对单晶硅进行了刻蚀，工艺中用光刻胶作掩膜。研究了气体组分、 ICP功率和RF功率等工艺参数对硅刻蚀速率和硅与光刻胶刻蚀选择比的影响，同时还研究了不同工艺条件对侧壁形貌的影响。结果表明，由于物理刻蚀机制和化学刻蚀机制的相对强度受到混合气体中cl和Ar比例的影响，硅刻蚀速率随着Ar组分的增加而降低，同时选择比也随之降低。硅刻蚀速率随着 ICP功率的增大先增大继而减小，选择比则成上升趋势。硅刻蚀速率和选择比均随RF功率的增大单调增大。在 C1：／Ar混合气体的刻蚀过程中，离子辅助溅射是决定硅刻蚀效果的重要因素。同时，文中还研究分析了刻蚀工艺对于微槽效应和刻蚀侧壁形貌的影响，结果表明，通过提高ICP功率可以有效减小微槽和平滑侧壁。进一步研究了SiO2掩膜下，压强改变对于硅刻蚀形貌的影响，发现通过降低压强，可以明显地抑制杂草的产生。关键词感应耦合等离子体；硅；C12／Ar；离子辅助刻蚀中图分类号 TN405．98 文献标识码 A 文章编号 1007—7820(2012)09—001—04 InductivelyCoupledPlasmaEtchingofSibyCI2／Ar GU0 Shuai。ZHOU Hongyi，CHEN Shuhua，GUO Xia (CollegeofElectronicInformationandControlEngineering，BeringUniversityofTechnology，Beijing100124，China) Abstract Thispaperintroducestheinductivelycoupledplasma(ICP)etchingofsiliconwithphotoresist(PR) maskbytheC12／Armixed·gasprocess．Theeffectsofprocessparameterssuchasgascombination，ICP andRF powerontheetchrateofSi ndtheselectivityofSi／photoresistandonthesidewallprofileareinvestigated． Itis f0undthattheratioofC12toArflowratesignificantlyaffectstheetchrate，duetothetrade-offbetweenphysicaland chemieM componentofetching．TheetchrateofSidecreaseswiththeincreaseofpercentofAr，andtheselectivity hasthesametrend．WiththeincreaseofICPpower，theetchrateofSiincreasesfirstandthendecreases，andthe selectivityincreaseswiththeICPpower．TheetchrateandselectivityincreasesmonotonouslywithRFpower．Be— sides，ion-inducedsputteringisanimportantfactorintheC12／Armixed-gasetching．Intheetchingprocess，Micro— trenchingandsidewallsurfacescanbesmoothedbyrisingtheICPpower．Besides，westudytheprofilesofSiwith SiO2maskunderdifferentpressures，andfindthatplasmagrasswillbecontrolledatalow pressure．