cmp抛光机抛光盘温度的精确控制 precise control of cmp polishing machines table temperature.pdfVIP

：￡丛里夔查皇堡鱼： 弛盟础翟通皿 CMP抛光机抛光盘温度的精确控制 种宝春，柳滨，棠文趋 (中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京东燕郊1016叭) 摘要：CMP的加工过程，是对晶圆表面进行平坦化的过程，在对晶圆表面材料进行去除当中产 生了热量．造成温度的上升。为了获得均匀的抛光去除率，达到全局的平坦化，必须对温度采取精 确控制．分析研究了CMP加工过程中热量的产生，并介绍了一种对温度进行控制的方法。 关键词：抛光液；抛光盘；温度控制 中图分类号：TN307 文献标识码：A 文章编号：1004—4507(2007)10一0014一03 ControlofCMP Machine’sTable Precise Polishing CHONGBao．chun，LI【JBin，SONGWen-chao (The45nlRcse眦hhIstitIlte0fcETc，Ea砒Yanji地Beijitlg10160l，china) Abst姻ct：CMPisaprocesstopIanarizethe su出ce ofthe a ofheatis elevatesme materialw甜iLlarge啪ount pmduced，whichteIllpera呲，Aprecise contr01 is for ofmate—a1 necessaryuniforrnity remoVa】a11d百obalplan枷ztion．Thisp印er oftemperature stIldiesthe ofmeheat theCMP a method． ouq)ut during process，andpresemstempera呲control control Keywords：Slurry；Table#Temperature 1 引言 温度又是影响反应速度的关键因素。在机械作用后 将反应物及时地去除，达到反应速度和机械去除速 cMP的加工过程，是对晶圆表面进行平坦化 度的合理，不能出现去除不彻底或是过量的机械作 用造成对晶圆划伤现象的发生。所以对抛光过程中 的过程，要对AL、cu、w、sTI氧化层及Low一☆等材 料进行抛光加工。由于抛光机理是通过化学作用 的温度控制是非常重要的。 后，对抛除材料形成络合物，后对络合物进行机械 作用去除。所以化学作用是抛光过程中的重要作 2 抛光液与去除材料的反应机理 用。目前在抛光过程中采用的抛光液是分别加入了 纳米级磨料的酸性或碱性的化学液体。在化学反应 目前在CMP加工过程中所采用的抛光液为掺 过程中具有热量的释放，从而造成温度的上升，而 杂了纳米级磨料的酸性或是碱性化学液。酸性抛光 收稿日期：2007-09．28 作者简介：种宝春(1970一)，男，天津市人，工程师，从事半导体专用设备研究。 (9(总第153期)回曩囫固 万方数据 圈脚黥黜善鉴 ：￡M!堕查皇堡鱼： 液主要包含有氧化剂、助氧剂、均蚀剂、抗蚀剂、pH 3 CMP加工过程中热量的产生及对抛光 值调节剂和磨料。其中氧化剂有HNO，、H：sO。、Ag 去除率的影响 NO；、H：O：和如Mn04，常用的氧化剂是氧化势很高 的硝酸。碱性抛光液的组成包含有络合剂、氧化剂、