db-fib电子束辅助沉积pt法在fa中的应用实例 fa case study of the application of ea-cvd pt technique in the db-fib system.pdfVIP

电子科技2008年第21卷第3期 DB．FIB电子束辅助沉积Pt法在FA中的应用实例 、 陈 强1”，汪 辉1，李 明2 摘要双束聚焦离子束(DB—HB)已经成为半导体工业中，尤其是失效分析(rA)工作中非常重要的工 具。当进行表面缺陷的分析时，为了保证缺陷的完整性，在离子束铣削之前往往会在缺陷上沉积一层Pt薄膜作 保护层。DB—HB将离子束和电子束集成在一套设备中，因而允许使用常规的离子束辅助沉积(n—CVD)和电 方法，造成缺陷损伤，核心消失，界面模糊。而采用EA—CVD沉积Pt层的方法，造成的损伤极小，缺陷保留 完整。最终分析得出该Pad表面缺陷是由于原电池反应所产生的表面缺陷。 关键词聚焦离子束；失效分析；电子束；原电池反应 中图分类号TN305．7文献标识码A 文章编号1001-7820【2008)03—026一04 FACase ofthe ofEA·-CVDPt intheDB--FIB Study Appfication Technique System Chen Huil，Li Qian91”，WangMin92 of (1．SchoolMicroclectronics，ShanghaiJiaotongUniversity，ShaIlgIlai200030，China； International 200000，China) 2．AnalyseLaboratory，SemiconductorManufacturingCorporation(SMIC)，Shanghai in AbstractTheDual—BeamFocusedIon becomea instrument Beam(DB—FIB)hasveryimportant the intheFailure asurface Pt semiconductor defect，a industry，especiallyAnalysis(FA)field．Toanalyze filmwillbe onthedefectsurfacefor beforeion ofFIB．Dual—beaminstrumentsincor- deposited protect milling an andanioncolumnintoa thereforeallowthechemicalV8- bothelectroncolumn porate singleinstrument，and about tobeeitherion—orelectron—beamassisted．Inthis caBe pordeposition(CVD)process paper，a pad surfacedefectis isobservedinthesurfacedefectinwhichion—beamassistedCVD discussed．Damage proces一