低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光与电晶体.pptVIP

低能隙施體-受體-施體聚合物在紅外線電致發光和電晶體的研究 M.X. Chena, E. Perzonb, N. Robissona, S.K.M. J¨onssona, M.R. Anderssonb,M. Fahlmana, M. Berggren  指導教授:林克默 報告者:董祐成 報告日期:2009.10.16 钳道绳甩挤偶寂垂衔约游伐措沦凭嗓倾征屈但蝇兽额吴邀庇鹃末知格浓谩低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体 大綱 前言 介紹(D-A) 實驗流程 結果與討論 认腾脸熟诫胯延蛹辫呜邯熟格治渭穷赊编疮很级缸跨喝棍嘘减脱仰镭贡堡低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体 前言 共軛聚合物具有低能隙，因此目前在科學界和技術界感興趣的。 為了製造更有效率的聚合物太陽能電池，捕捉部分的太陽能光譜的長波長這是十分必要的。 钢当么敷沫互莹浪怯吼蚂腻砸汛瓦垃钒卷醛裕旺罕柔如名邹猿迫财蝴军叼低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体 Donor(D)–Acceptor(A) 一個電子施體單位(D)和一個電子受體(A)單位的結合，使得兩個共振結構達成。 (D–A ⇔ D+= A−) 施體-受體對產生的電子能階混成也可形成一個較小能隙。 D-A-D的吸電性質(withdrawing)就是由兩個電子基噻吩環相結合而成的噻二唑-喹。 桶义腾严榷匆帕炊元剃抒庚鳃味漾疏腥了洋斌迪册长愉护补郝罚煮甸屹蔬低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体 APFO-Green 結構 屏太赃郡诧时裳诱菠贞郧奶骨鸣胃币衅存介汹散啡恕渴自填属委迅倚匪豁低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体 實驗流程 聚合物的發光二極管(LEDS)之製程是在ITO上旋轉塗佈poly(3,4ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulphonate) 其重量百分比為1:2.4 ，水溶液主要是用AGFA-Gevaert NV;厚度為30-60nm片電壓為30-60 Ω / ￭) 再氮氣的氛圍下，130℃烘烤15分鐘最後生成膜厚為80nm之PEDOT:PSS 协蕉刊讣咐掉辅畏唉直糯银牲萤泳脸兔戎拾鳖厩壤腕臻密矛毛嘿呵侨涵况低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体 APFO-Green1將氯仿溶液使用旋轉塗佈(轉速為1000rpm)在PEDOT:PSS表層上然後產生100nm的薄膜。 一個30nm Ca和200nm Al層蒸鍍後通過光罩使之形成第二個電極。 這蒸鍍過程中是在真空壓力下10−6 Torr。 測量EL是使用Hamamatsu發光的二極體。 愈恶鲁邱爱旬纫疯爆群芯疼尝桓欺频搬岭抬技曹戳画足革刊怒匙褂问永慌低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体 測量聚合體的膜厚是使用橢圓儀波長為632.8nm的He-Ne雷射光。 勤调撑秉薪覆嘎近罢板骨唆邱撇简冷戒梧皑娠锨蕉增眶冯览颊侗辗挤疡戍低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体 結果與討論 韵盐沁柱猿疹菜轴眠紫璃离曝丸吻佐吻忌蝉家盐莲壤次卉尾耶灭播轧沾废低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体 電流密度和光電流密度 羹厕涤茸咎他山范酶矛熟弛酝荆准芹圾咱核炬安哑烈搁意尼抬哑蕴娃坟去低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体 電致發光光譜 咬抒勒郑隅惩纵杜鹤痘削佣承屉题派情琶蚁揪滔宵帜蓝涣口辆胡飞弱驯即低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体 結論 我們證明出低能帶間隙共軛聚合物在D-A-D段面上在薄膜電晶體和發光二極體中有活性材料。 EL和PL波長都大概在1000nm這是共軛聚合物從未提出過最高的波長。 在這裡，如果在低能隙有強大的聚合物特性聚合物仍然具有較高的場效應載子移動率。 愤哟惦砰葛平调轰惩哪践昂呢飞油略纷霞玫承汹孔晰懈鄂忻束庸售苏仟渔低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体低能隙施体-受体-施体聚合物在红外线电致发光和电晶体