《模拟电子技术基础》第1章、半导体器件.pptVIP

武汉大学珞珈学院 电子信息系 教师：刘杨俊 1.1 半导体的导电特性 N型半导体 1.2 半导体二极管 1.2.1 PN结的形成 PN结的单向导电性 PN结的单向导电性 PN结的击穿特性 二极管的类型 1.2.2 二极管的伏安特性 非线性元件的认识 二极管等效电路 （2）应用图解分析方法 （3）应用简化模型方法 （4）小信号模型 二极管的等效电路 1.2.4 稳压二极管 主要参数 稳压电路 1.3 三极管的结构及类型 三极管的工作原理 三极管的工作原理 三种组态 总结 三极管特性曲线（输入） 1.4.3 绝缘栅型场效应管(MOS管) 思考与习题 根据 ? 是另一个电流放大系数，同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 IE=IB+ IC IC= InC+ ICBO 且令： ICEO= (1+ ? ) ICBO （穿透电流） 2. 电流分配关系 三极管的工作原理 3. 三极管的三种组态 共集电极接法：集电极作为公共电极，用CC表示。 共 基 极 接 法：基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法：发射极作为公共电极，用CE表示。 BJT的三种组态 三极管的工作原理 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 三极管的工作原理 iB=f(vBE)? vCE=const (2) 当vCE≥1V时 vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时 相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） 图 vCE = 0V vCE = 0V vCE ? 1V + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE 1.3.3 三极管的特性曲线 (3) 输入特性曲线的三个部分 ①死区 ②非线性区 ③线性区 iB=f(vBE)? vCE=const 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） 图 + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE 三极管的特性曲线 三极管特性曲线（输出） 三极管的特性曲线 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏 iC=f(vCE)? iB=const 2. 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压，集电结反偏。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 饱和区 截止区 放大区 动画播放 1. 电流放大系数 1.3.4 三极管的主要参数 (1)共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const 图 (2) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const 图 (3)共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE (4)共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const 当ICBO和ICEO很小时， ≈?、 ≈?，可以不加区分。 1. 电流放大系数 三极管的主要参数 三极管的主要参数 2. 极间反向电流 ICEO 即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。 ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。 三极管的主要参数 (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 图 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 图 三极管的主要参数 (1)集电极最大允许电流ICM (2)集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICVCE 3. 极限参数 三极管的主要参数 三极管的主要参数 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。 三极管的主要参数 (3)晶体管安全工作区 3. 极限参数 三极管的主要参数 4. 反向击穿电压 ? V(BR)CB