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表面粗化于垂直式氮化镓发光二极体效能之研究-建国科技大学.pdf

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    第九智慧生活科技研年月日台中台表面粗化於垂直式氮化光二效能之研究斌李佳玲建科技大工程系摘要由矽度之型氮化由氮化氮化垂直式光二以晶所成多重量子井以及雷射程型氮化子阻障最後元件置於性良好之矽基板因此垂之型氮化磊晶直式光二高亮度高耐之效性光二垂直式光二的型配置型氮化表面粗糙化平台式由平台式的粗化可降架程步低全反射提升光出功率外部量子效率由於要避免型下方被化著粗化刻的增加的刻粗糙化所以使用硬式遮罩之方外部量子效率也逐增加刻法在型的位置的上方直接覆型外部量子效率可未粗化作硬式遮罩接著以浸泡於之元件提升此元

    第九屆智慧生活科技研討會(ILT2014) ISBN/978-957-21-9400-3 2014年6月6日台中 台灣 The9thIntelligentLivingTechnologyConference 表面粗化於垂直式氮化鎵發光二極體效能之研究 黃勝 斌 李佳玲* 建

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