沟槽形状对硅基沟槽式肖特基二极管电学特性的影响-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 12 (2014) 127201 沟槽形状对硅基沟槽式肖特基二极管 电学特性的影响 翟东媛 赵毅 蔡银飞 施毅 郑有炓 1)(南京大学电子科学与工程学院, 南京 210093) 2)(杭州启沛科技有限公司, 杭州 311121) ( 2014 年1 月24 日收到; 2014 年3 月8 日收到修改稿) 随着对电子产品节能环保要求的提高, 对广泛应用于电子产品的肖特基二极管电学性能的要求也越来越 高. 含金属-氧化物-半导体结构的沟槽式肖特基二极管(trench barrier Schottky diodes, TMBS) 由于其优异 的性能而备受青睐. 沟槽结构对提高肖特基二极管性能起着至关重要的作用, 但是关于沟槽形状对二极管电 学性能的影响尚未见有深入的研究报道. 本文提出了两种新型的沟槽结构—— 圆角沟槽和阶梯型沟槽. 通过 模拟研究发现, 圆角沟槽与传统的直角沟槽TMBS 器件相比, 在维持同样的漏电流和正向导通电压的条件下, 击穿电压可以提高15.8%. 阶梯沟槽与传统直角沟槽TMBS 器件相比, 可以在击穿电压不减小的情况下, 漏 电降低35%, 正向导通电压仅略有增加. 这归结于圆角沟槽和阶梯沟槽对有源区内部电场强度分布的调节. 关键词: 肖特基二极管, 金属-氧化物-半导体结构, 沟槽式肖特基二极管, 沟槽形状 PACS: 72.20.–i, 73.40.Lq, 77.22.Jp, 84.70.+p DOI: 10.7498/aps.63.127201 势垒降低效应, 从而减小了肖特基结的反向漏电 56 1 引 言 流 ; 另一方面, TMBS 结构还可以降低有源区 中电场强度的最大值, 从而实现二极管反向击穿电 肖特基二极管由于其低的正向导通压降和快 压的增加, 因此, 在保证维持同样击穿电压的前提 速的反向恢复时间, 在功率整流器件中得到了广泛 下, 可以使用比较高掺杂浓度的外延层, 从而实现 应用. 但是在传统的平面硅肖特基二极管中, 由于 较低的正向导通电压. 1 其反向漏电主要来自于热电子发射 , 而不是p-n 自从TMBS 结构器件被提出以来, 不少研究者 2 结一样来自于产生复合电流 , 因此, 在相同的面 致力于通过改变TMBS 器件的参数来进一步提高 积和电压下, 平面肖特基结二极管的反向漏电流 器件性能. 如Baliga 和Mahalingam7 通过改善有 比p-n 结大很多. 另一方面, 在高压器件中, 由于 源区的掺杂分布来改善器件的击穿电压, 但是同时 寄生电阻的影响, 平面肖特基二极管的低正向导通 8 也导致了其反向漏电流的增加. Juang 等 通过在 电压的优势也不明显了. 为了改善平面肖特基二 沟槽底部引入p-n 结来改善器件在沟槽底部的电场 极管的这些缺点, 1994 年, Mehrotra 和Baliga3 提 强度分布, 达到增加击穿电压的作用等. 但是作为 出了沟槽式肖特基二极管(trench barrier Schottky TMBS 结构