模拟电子技术 第1章半导体器件.pptVIP

图1-27 vGS=0时，漏源电压vDS改变对导电沟道的影响 工作原理 (2) vDS对iD的控制作用 (a) vDS=0 (b) vDS|VP| (b) vDS=|VP| (d) vDS|VP| (c) 继续增加vDS，当耗尽层在A点相遇时，称为预夹断。 (d) 沟道在A点预夹断后，随着vDS上升，夹断长度会略有增加。但由于夹断处场强也增大，仍能将电子拉过夹断区。在从源极到夹断处的沟道上，沟道内电场基本上不随vDS改变而变化。所以，iD饱和。 特性曲线 (1) 输出特性(vGS一定时，vDS对iD的影响) 图1-28 N沟道JFET的输出特性 特性曲线 (2) 转移特性(vDS 一定时， vGS对iD的影响) 图1-29 N沟道JFET的转移特性 思考题 1. 一个JFET的转移特性曲线如图所示，试问(1)它是N沟道还是P沟道的FET?(2) 它的夹断电压VP和饱和漏极电流IDSS各是多少？ iD / mA -4 3 vGS / V 0 图1-30 N沟道MOSFET N沟道MOSFET的结构 MOSFET 从导电沟道的类型上分为： 1) n沟道管，由电子导电。 2) p沟道管，由空穴导电。 从开启电压的极性上又可以分为： 1) 增强型管。栅压为零时不能导电。 2) 耗尽型管。栅压为零时管子能导电。 以一块掺杂浓度较低、电阻率较高的P型硅半导体薄片作为衬底，在P型硅中扩散两个高掺杂的N+区。然后在P型硅表面上生长一层很薄的二氧化硅绝缘层，并在二氧化硅的表面及N+区的表面上分别安置三个铝电极——栅极g、源极s和漏极d，就形成了N沟道MOS管。由于栅极与源极和漏极均无电接触，故称为绝缘栅极。 表示由P衬底指向N沟道。对于P沟道情况，箭头方向正好相反。 虚线表示 实线表示 工作原理 工作原理 (a) (a) 当栅源短接时，源区、衬底和漏区形成两个背靠背的PN结。当vDS0时，漏极和衬底间的PN结反偏，此时漏源间的电阻很大，没有形成导电沟道，基本没有电流流过，iD=0。 工作原理 (b) (b) 在正的vGS作用下，介质中产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向P型衬底的电场，这个电场排斥空穴而吸引电子。因此，P型衬底中的电子被吸引到P型硅表面，形成一个N形的薄层。显然，vGS正的越多，作用于半导体表面的电场越强，吸引到P型硅表面的电子越多，感生沟道越厚。一旦出现了感生通道，原来被P型衬底隔开的两个N+区便连在了一起。因此，在正的vDS作用下，便有漏极电流iD产生。一般把在vDS作用下开始导电时的vGS称为开启电压VT。 工作原理 (c) (d) 当vGS≥VT ，外加较小的vDS时，漏极电流iD将随vDS上升迅速增大，但由于沟道存在电位梯度，因此沟道的厚度是不均匀的；靠近源端厚，靠近漏端薄。 当vDS增大到一定数值后，靠近漏端被夹断，vDS继续增加，将形成一夹断区。沟道被夹断后，vDS上升，iD趋于饱和。 特性曲线 图1-32 N沟道增强型MOSFET的输出特性曲线 (1) 输出特性曲线：测量当vGS恒定时，iD和vDS之间的变化关系。 当vGS VT时，无沟道形成，MOS管不导通，处于截止区。 vGS≥VT后，若vDS较小，iD随vDS的增加迅速上升，处于可变电阻区。 vDS进一步增大，沟道被夹断，iD不随vDS变化，处于恒流区。 特性曲线 (2) 转移特性曲线：测量当vDS恒定时，iD和vGS之间的变化关系。 由输出特性曲线画出转移特性曲线的作法与JFET相同。 理论分析表明，当vGSVT时，iD与vDS的关系也是二次函数，即 式中，K为沟道系数，单位为mA/V2或μA/V2。K的大小由沟道的长、宽和单位面积的栅电容等因素决定。当vGS=2VT对应的电流值为ID2时，则K=ID2/V2T 思考题 1. 如图所示为MOSFET的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如是增强型，说明它的开启电压VT=？如是耗尽型，说明它的夹断电压VP=?（图中iD的正向为假定流入漏极。） 3. 二极管电路如图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压VAO。设二极管是理想的。 (a) (b) (c) (d) 4. 稳压管DZ的稳定电压VZ=8V，限流电阻R=3kΩ，设vi=15sinωtV，试画出vO的波形。 内容回顾 半导体 本征半导体 杂质半导体 N型半导体 P型半导体 两种载流子 电子和空穴 掺入5价元素 施主杂质失去电子后留下带正电的离子 掺入3价元素 受主杂质得到电子后留下带负电的离子 多子：空穴 少子：电子 多子：电子 少