第10章 噪声与有源射频元件.ppt

第10章 噪声与有源射频元件 理解微波电路中噪声源、噪声功率和噪声温度概念； 掌握器件噪声系数、级联系统噪声系数、无源二端口网络噪声系数概念及计算； 理解动态范围、增益压缩、交调失真、三阶截断点、无源交调的概念。 10.1 微波电路中的噪声 来源： 器件中的电子和空穴流 穿过电离层或电离气体时 0 K以上热振动产生 方式： 系统内部产生 系统外部传入 结果：噪声电平决定可检测信号的下限 特例：辐射计和射电天文望远镜系统输入即为噪声 动态范围： 元件或系统的输入和输出是线性且确定的信号电平范围 噪声 热噪声(thermal noise):束缚电荷的热振动产生/Johnson/Nyquist 散粒噪声(shot noise):载流子随机涨落引起。 闪烁噪声(flicker noise):与频率 f 成反比，又称 1/f 噪声 等离子体噪声(plasma noise):电离气体中电荷的随机运动产生 量子噪声(quantum noise):载流子和光子的量子化性质产生（略） 平均电压为0，非零均方值由普朗克黑体辐射定律给出 微波频率下的瑞利－琼斯(Rayleigh-Jeans)近似： 等效噪声温度Te（equivalent noise temperature) 作用：表征一个器件或系统（白色，与频率无关） 关系式：（依据10.3式，N0即Pn） 放大器的等效噪声温度Te 过量噪声比ENR（excess noise ration) 噪声 负载处功率包括负载和元件产生的噪声功率 10.1.4 噪声系数（noise figure) 有耗网络的噪声系数 10.1.5 级联系统的噪声系数 多级级联系统的噪声温度和噪声系数 例题 10.2 无线接收机的噪声分析 P426-427 10.1.6 无源二端口网络的噪声系数 10.1.7 失配有耗线的噪声系数 P429 10.2.1 增益压缩/饱和（gain compression/saturation） 微波电路中的噪声 典型的放大器响应 10.2.2 交调失真 微波电路中的噪声 交调失真 10.2.3 三阶截断点(third-order intercept point) 10.2.4 动态范围 (Dynamic range) 10.2.6 无源交调（passive intermodulation，PIM） 微波元器件的分类 微波半导体器件的发展历程 微波半导体器件的发展历程 微波半导体器件的发展历程 MMIC的发展为微波系统在各个领域的应用提供了广阔的前景。由MMIC器件所组成的微波系统已广泛应用于空间电子、雷达、卫星、公路交通、民航系统、电子对抗、通信系统等多种尖端科技中。 包括MMIC低噪声放大器（LNA）、混频器、上变频器、滤波器压控振荡器（VCO）、功放等直至MMIC前端和整个收发系统。 随着MMIC技术的继续提高和多层集成电路工艺的进步，利用多层基片内实现几乎所有的无源器件和芯片互联网络的三维多层微波结构受到越来越多的重视。 建立在多层互连基片上的MCM（Multi-Chip Module）技术将使微波/毫米波系统的尺寸变得更小。 微波半导体器件的发展历程 随着微电子机械系统（MEMS）技术的发展，利用MEMS技术可以使无线通信设备中的外接分立元件达到微型化、低功耗及可携带性的要求。 MEMS采用深刻蚀技术，实现宏观机械上的三维结构，使以前的无源器件的小型化成为可能，同时将版图面积大幅度下降，另外更加容易集成。 MEMS的器件主要是以Si作为加工材料，这就使它相对传统的利用MMIC技术制作的器件的成本大幅度下降。 微波半导体材料概述 参见半导体材料特性参数（T＝25°C，N＝10cm-3） 微波器件的分类 BJT（ Bipolar Junction Transistor）双极型晶体管 放大器、振荡器，Si，0.1－3GHz，易匹配、价格低 MESFET（ Metal Semiconductor Field Effect Transistor） 金属半导体场效应晶体管，振荡器、放大器，GaAs，2－12GHz HEMT（High Electron Mobility Transistor）高电子迁移率晶体管 LNA，GaAs，AlGaAs，2－40GHz PHEMT（ Pseudo HEMT）假沟道高电子迁移率晶体管 LNA，GaAs，AlGaAs，2－40GHz HBT（Hetero Junction Bipolar Transistor）异质结双极型晶体管 低相噪振荡器、放大器，