绝缘栅场效应三极管的工作原理.PPT

1.4 场效应管 1.4.1 绝缘栅场效应管的工作原理 1.4.2 伏安特性曲线 1.4.3 结型场效应管 1.4.4 场效应管的参数和型号 1.4.5 三极管和场效应管的比较 场效应管是仅由一种载流子多子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 从场效应管的结构来划分，它有两大类。 1.结型场效应管JFET 2.绝缘栅型场效应管也称金属氧化物半导体管MOSFET D为漏极，相当于c; G为栅极，相当于b； S为源极，相当于e。 1.4.1 绝缘栅场效应管的工作原理 绝缘栅场效应管MOSFET。分为 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 (1)N沟道增强型MOSFET ①结构 N沟道增强型 MOSFET结构示意图 g d s b 当VGS=0V时，漏源之间相当于两个背靠背的 二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。 VGS对漏极电流的控制关系可用 ID=f(VGS)?VDS=const 这一曲线描述，称为转移特性曲线。 当VGS≥VGS(th)时（ VGS(th) 称为开启电压) 随着VGS的继续增加，ID将不断增加。在VGS=0V时ID=0，只有当VGS＞VGS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。 栅源电压比较强 感生沟道或反形层 的形成， 将漏极和源极沟通。 如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。 ②工作原理 1．栅源电压VGS的控制作用 转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 gm 的量纲为mA/V，所以gm也称为跨导。跨导的定义式如下 gm=?ID/?VGS? VDS=const (单位mS) ID=f(VGS)?VDS=const 转移特性曲线 当VDS为0或较小时，相当于VGDVon，沟道分布如图，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。 当VDS增加到使VGD=Von时，沟道如图。这相 当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断。 当VDS增加到VGD?Von时，沟道如图。此时预夹断区域加长，伸向S极。 VDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断 沟道上， ID基本趋于不变。 2．漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 VDS=VDG＋VGS =－VGD＋VGS VGD=VGS－VDS 漏极输出特性曲线 ID=f(VDS)?VGS=const 当VGS＞VGS(th)，且固定为某一值时， VDS对ID的影响，即ID=f(VDS)?VGS=const这一关系曲线如图。这一曲线称为漏极输出特性曲线。 漏极输出特性曲线 (2)N沟道耗尽型MOSFET 掺杂了大量的杂质正离子 (3)P沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 1.4.2 结型场效应管 (1)结型场效应管的结构 结型场效应管的结构 g d s 在N型半导体两边，掺杂高浓度的P区，把两个P型区并联，引出一个电极－－栅极 P型半导体两端各引出一个电极－－源极 漏极 栅极g-基极b 漏极d-集电极c 源极s-射极e g s d P P N (2) 结型场效应管的工作原理 根据结型场效应管的结构，因它没有绝缘层，PN结只能工作在反偏的条件下，对于N沟道结型场效应管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区，否则将会出现栅流。 栅源电压对沟道的控制作用 即vGS对iDS的控制 g s d P P N 漏源电压对沟道的影响 即vDS对iDS的影响 在N沟道场效应管中起导电作用的是沟道中的多子－电子，在P沟道场效应管中起导电作用的是沟道中的多子－空穴，在一个场效应管中只有一种极性的多数载流子参与导电，因此场效应管称为单极型三极管。 ①栅源电压vGS对漏极电流iDS的控制作用 栅源之间反偏电压越大 PN结的耗尽层越厚，向N区扩展 沟道越窄 沟道电阻越