铁电薄膜的材料系统与功能性质_孙顺明.pdfVIP

硅酸盐通报　1999 年第4 期 铁电薄膜的材料系统与功能性质 孙顺明 (西安交通大学电子与信息工程学院, 西安, 710049) 摘　要: 成铁电体把铁电材料与 成半导体技术联合起来, 以发展出一批新的电子器件。 铁电薄膜在其中发挥 着非挥发性记忆、热释电、压电、光折变、抗辐射、声学的和/或介电的功能性质。 在不同的器件应用中, 铁电薄膜的 材料体系是不相同的。 在非挥发性存贮器(NVRAM)中, PZT 薄膜面临着 SrBi Ta O (SBT )系列铁电体的强力挑 2 2 9 战;Ba Sr TiO (BST )则可能出现在下一代高密度动态随机存贮器(DRAM)中。 金属氧化物电极和/或过渡层可 1-x x 3 以克服Pt 电极面临的一些问题, 并有助于铁电薄膜的外延生长。 关键词: 成铁电体, 铁电薄膜, 铁电材料, 功能性质, 薄膜电极 1.前　言 性, 我们称之为铁电体。在 32 个结晶学点群 最近十多年来, 铁电材料的薄膜研制得到 中, 有10 个是极性点群。 只有属于这 10 个极 性点群的晶体, 才可能具有自发极化(P )。呈 了迅速发展, 并形成了专门的学科— 成铁电 s 体。 目的是在硅或砷化镓 成半导体芯片上制 现自发极化的晶体有一个共性, 即其极化状态 [1] 随着环境温度的变化而变化, 这种性质称为热 造铁电薄膜 。铁电材料与 成半导体技术 的结合将在存贮器、传感器、声表面波(SAW) 释电性。同时, 由于自发极化的存在, 极性介质 器件、微波单片 成电路(MM IC)、光波导、光 缺少中心对称性, 因而具有压电性, 即外加机械 开关、二次谐波发生器(SHG)和微电子机械系 应力或应变诱发极化的性质。然而, 铁电性不 统(MEM S)等领域得到应用。其中, 非挥发性 仅要求晶体中存在自发极性, 而且还要求自发 存贮器(NVRAM )和下一代动态随机存贮器 极化的可能取向是两个或两个以上, 在电场的 (DRAM )是铁电薄膜潜在的最重要的器件应 作用下, 这些取向态之间能够相互切换。 因此, 用。 只要是铁电体都具有热释电性和压电性。 作为一类特殊的功能电子材料, 铁电体具 铁电性强烈地依赖于晶体结构的这种结构 有两个基本特性, 即它们自发地极化, 并且其自 -性能关系, 使得大多数钙钛矿型、钨青铜型、 发极化的取向能在电场作用下改变。这类电介 层状铋型和铌酸锂型等含氧八面体的氧化物成 [ 2] 为铁电体。宏观上, 这些铁电体的自发极化主 质已达200 多种 , 但在 成铁电体领域被选 用的并不多。决定的因素有, 材料本身的功能 要来源于氧八面体中的高电价、小半径阳离子 性质, 薄膜的制备技术, 和应用领域的要求等。 偏离八面体中心的结构畸变。 [ABO ]钙钛矿型铁电材料是这类铁电体 此外, 被选择的铁电材料体系在制成薄膜后, 能 3 否重现材料的功能性质还与所用的基片和电极 的典型代表, 因此也是被广泛研究的铁电材料。 以P TiO (PT )为例, 在它的立方钙钛矿相中, 材料有很大关系。 3