瑞萨采用混载DRAM技术开发出网络设备用存储器由此可轻松支持.DOC

瑞萨采用混载DRAM技术开发出网络设备用存储器，“由此可轻松支持100Gbit以太网” 图1：支持100Gbit/秒以太网的网络设备用存储器“μPμPμPμP（点击放大） 图2：适合用于要求缓冲存储器和表格存储器实现大容量化的用途（图：瑞萨）（点击放大） 图3：调整每个端子信号输出时间偏差的“Per-bit deskew”功能概要（图：瑞萨）（点击放大） 图4：根据输入输出数据的内容，使数据进行反演的“数据反演（Data Inversion）”功能概要（图：瑞萨）（点击放大） 图5：网络设备用存储器的竞争情况。在QDR、LLDRAM以及TCAM这三个领域，瑞萨和另外一家到两家公司是市场的主力。（图：瑞萨）（点击放大） 　　瑞萨电子开发出了开关和路由器等100Gbit/秒以太网（Ethernet）设备中使用的存储器（图1）。该公司通过混载DRAM工艺技术，制造出了名为“Low Latency DRAM”（LLDRAM）的存储器。此次是首次将该项技术用于单体存储器产品。在与采用标准DRAM工艺技术制造的原产品具有同等功耗的前提下，实现了大容量化和高速化。该公司SoC第一业务总部产业网络业务部部长龟田英夫表示，“支持100Gbit以太网的网络设备，目前正处于推进开发阶段。无论是数据传输用缓冲存储器，还是数据管理用表格存储器（Table Memory），均可使用此次的产品”。瑞萨电子已从2010年9月7开始样品供货。?　　此次开发的存储器容量为1.1Gbit。工作频率最大为800MHz，随机循环（Random Cycle）时间（从访问某个存储器地址开始，到访问下个存储器地址所花费的时间）为13.3ns。该公司现有的LLDRAM产品，容量最大为288Mbit，工作频率最大为400MHz，随机循环时间为20ns。功耗方面，新产品为2.0W，现有产品为2.1W，两者基本相同。由于新产品的单位功耗得到了大幅提高，适于需要数Gbit规模大容量缓冲存储器和表格存储器的网络设备使用（图2）。?　　与现有产品相比新产品的性能大幅提高，是通过采用瑞萨电子自主开发的混载DRAM制造技术实现的。制造工艺为40nm。现有产品一直采用90nm工艺的标准DRAM制造技术。瑞萨电子SoC第一业务总部产业网络业务部存储器解决方案设计部小组经理五藤浩幸表示，“混载DRAM制造技术与标准DRAM制造技术相比，前者具有晶体管开关性能较高、而且可以降低工作电压的优点。最初曾经考虑采用标准DRAM制造技术来推进微细化，不过我们发现，要想满足客户要求的性能，功耗无论如何都会增大。本公司从2009年开始采用40nm工艺混载DRAM技术量产，我们认为40nm工艺有助于减小芯片尺寸，因此应用到了LLDRAM中”。?　　此外，此次的开发产品还新配备了调整每个端子信号输出时间偏差的功能（图3）；输入输出数据中大半以上的bit为零时，通过数据反转来降低功耗的功能（图4）；以及封装在底板两面时，可以通过部分反转端子位置来缩短布线长度的功能等。?　　此次开发的产品共四款。bit宽度（x18或x36）和突发长度（2或4）的组合因产品而异。四款产品的容量均为1.1Gbit，均采用180端子的BGA封装。样品价格为1万5000日元。将从2011年4月开始量产。?“在网络设备用存储器领域成为No.1”?　　目前，网络设备中通常使用的是采用SRAM的高速存储器QDR、配备MAC地址表搜索硬件的TCAM、以及LLDRAM。原瑞萨科技拥有QDR和TCAM，原NEC电子拥有QDR和LLDRAM，“彼此之间具有互补关系。通过业务整合，瑞萨电子成了唯一一家业务范围涉及整个网络设备用存储器领域的公司”（龟田）（图5）。?　　瑞萨电子预计，网络设备用存储器市场（按照金额计算）今后将以年率9％以上的速度增长。该公司计划随着市场的增长，增加市场份额、大幅扩大业务。