3d互连中光刻与晶圆级键合技术面临的挑战,趋势及解决方案 challenges, trends and solutions for 3d interconnects in lithography and wafer level bonding techniques.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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3d互连中光刻与晶圆级键合技术面临的挑战,趋势及解决方案 challenges, trends and solutions for 3d interconnects in lithography and wafer level bonding techniques

…。。．电子工业专用设备E声目：!g型造王茎：鼬螋熊蟊葛亟邋运玉函L宣‘j 3D互连中光刻与晶圆级键合技术面临的挑战，趋势及解决方案 Zoberbierl，ErwinCook3，Marc Neubertl Margarete Hell2，Kathy Hennemayerl，Dr．-Ing．Barbara MicroTec (1．SUSS GmbH，85276 Lithography 2．SUSSMicroTec 3703 Road Co．，Ltd．RoomNanzhengBuilding，580Nanjing Shanghai 20004 West，Shanghai1，P．R．China； Suss 3．SUSSMicroTecInc．，228 Drive，WaterburyCenter，VT．05677，USA) 摘要：目前。3D集成技术的优势正在扩展消费类电子产品的潜在应用进入批量市场。这些新技术也在推进着当前许多生产工艺中的一些封装技术包括光刻和晶圆键合成为可能。其中还需要涂胶．作图和蚀刻结构。探讨一些与三维互连相关的光刻技术的挑战。用于三维封装的晶圆键合技术将结合这些挑战和可用的解决方案及发展趋势一并介绍。此外还介绍了一种新的光刻设备，它可通过图形识别技术的辅助实现低于O．25“m的最终对准精度。对于采用光刻和晶圆级键合技术在三维互连中的挑战，趋势和解决方案及SUSS公司设备平台的整体介绍将根据工艺要求来描述。在这些技术中遇到的工艺问题将集中在晶圆键合和光刻工序方面重点讨论。关键词：三维互连；晶圆键合；光刻；解决方案；光刻设备；键合对准精度；发展趋势中图分类号：TN405．97 文献标识码：A andSolutionsfor3DInterconnectsin Challenges，Trends andWaferLevel Bonding Lithography Techniques Zoberbierl，ErwinCook3，Marc Neubertl Margarete Hell2，Kathy Hennemayerl，Dr．一Ing．Barbara MicroTec GmbH，85276 (1．SUSS Lithography Garching，Schleissheimerstr．90，Germany 3703 Road 2．SUSSMicroTec Co．，Ltd．Room Shanghai NanzhengBuilding，580Naming West，Shanghai200041，P．R．China MicroTec Suss 3．SUSS Inc．，228 Drive，WaterburyCenter，VT．05677，USA) suchas3D are the of advan