25mhz高速抗辐照存储器的验证方法设计 authentication method design of 25 mhz high-speed radiation-hardened memory.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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25mhz高速抗辐照存储器的验证方法设计 authentication method design of 25 mhz high-speed radiation-hardened memory.pdf

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25mhz高速抗辐照存储器的验证方法设计 authentication method design of 25 mhz high-speed radiation-hardened memory

第36卷第6期电子器件 V01．36No．6 ChineseofElectronDevices 2013年12月 Journal Dec．2013 AuthenticationMethod of25MHz Memory Design High-Speed DENG Yuliang+，LUOChunhua，口Luoyu，LIUYunlong GuoweiElectronics (Shenzhen Co．，Ltd，ShenzhenGuangdong518000，China) be introducesa radiation—hardenedwhichcall realized the Abstract：This paper high-speed memory byenabhng ofPROM’S 25MHzviathe ofthereferencecurrentcircuitandthecurrent speed workingfrequencyreaching design circuit．Thecurrent inthis canread without SEU eomparator comparatoradopted paper continuouslyproducing Event theresultof ofPROM．The Event (SingleUpset)with hiIghreliability SET(Single hardenedisrealizedaswellasinthePROM thethree—module and calibration memorythrough redundancysystem method．AfterthePROM timeandradiation-hardenedresultsshowthat memoryexperiencedreading experiment，the the of radiationhardenedcurrent is tomeetthe designhish comparatorcapable regulatedrequirements． speed Keywords：current hardened；PROM；SEU comparator；radiation EEACC：2420 doi：10．3969／j．issn．1005-9490．2013．06．003 25MHz高速抗辐照存储器的验证方法设计邓玉良+，罗春华，李洛宇，刘云龙 (深圳市国微电子有限公司，广东深圳518000) 摘要：介绍了一种高速抗辐照存储器。经过基准电流电路及电流比较器电路设计，使PROM(可编程只读存储器)能够达到25 问测试及抗辐照试验，结果表明，高速抗辐照电流比较器的设计符合指标要求。关键词：电流比较器；抗辐照；PROM；单粒子翻转中图分类号：TN402 文献标