2×25.4 mm gan led外延膜的激光剥离及其衬底的重复利用 laser lift-off of 2 inch gan led film and the reutilization of sapphire substrate.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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2×25.4 mm gan led外延膜的激光剥离及其衬底的重复利用 laser lift-off of 2 inch gan led film and the reutilization of sapphire substrate

兴电子·豫光 of 第19卷第11期2008年11月Journal V01．19No．11 Nov．2008 Optoelectronics·Laser mnlGaN 2X25．4 LED外延膜的激光剥离及其衬底的重复利用* 黄瑾，郑清洪，刘宝林一 (厦门大学物理系，福建厦门361005) rnmCaN 摘要：利用激光剥离技术实现直径为50．8 LED外延膜的大面积完整剥离。激光剥离后的原子力显微镜(AFM)扫描和X射线双晶衍射谱(ⅪiD)表明剥离前后外延膜的质量并未明显改变。并报道了在剥离掉后的蓝宝石(n-A12 (PL)和XRD谱对比分析了在相同条件下剥离掉后衬底与常规衬底上生长的CaNLED外延膜晶体质量。关键词：GaN；激光剥离I蓝宝石衬底抛光中图分类号：TN304文献标识码：A 文章编号：1005-0086(2008)ii一1493-04 LaserHft-offof2inchGaNLEDfilmandthe of reutilization substrate sapphire HUANG Bao-lin。。 Jin，ZHENGQiag-hong，LIU (XiamenUniversity，XiamenFujian，361005，China) inchthinCaNLED on Al矗raetl2 fnr璐，grown substrates，is laserlift-off．Atomforce and sapphire separatedby microscopy thedouble diffractionmeasurementsofCaNbeforeandafterlift-off crystalX-ray processhavebeen dem- employed．which onstratedthatthe andtrarlsf|er donotalterthestructuralofthe films separation process quality CaN obviously．InGaN／ CaN was onthe substrateand that multbquanturwwells(MQWs)structuregrown spearatedsapphire lateroc盯lp缸甜with 0f Oilthecdnventionalsubstrateinthe8anleconditionPLandXRD grown by specmnn． of substrate -畸words：GaN；laselIift-off}polis}lillgtechniquesapphire 高(莫氏9．5，仅次于莫氏10．0的金刚石)、脆性大，对其机械加 1引言