2gbps gaas单片4bit数模转换器的设计与实现 design and realization of 2gbps gaas 4bit dac.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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2gbps gaas单片4bit数模转换器的设计与实现 design and realization of 2gbps gaas 4bit dac.pdf

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2gbps gaas单片4bit数模转换器的设计与实现 design and realization of 2gbps gaas 4bit dac

第26卷第1期固体电子学研究与进展 VoI．26，No．1 2006年2月 OFSSE Feb．，2()06 RESEARCHPROGRESS 矿、p、pp≮，、ppq 冬射频与微波龟 ^扎一咩8＼F≈一毋一、} 2Gbps 张有涛1’2 夏冠群1 高建峰2 李拂晓2 (1中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海，200050)(2南京电子器件研究所．南京，210016) 2004一02—27收稿，2004—06一01收改稿 GaAs 摘要：详述了单片超高速2Gbps 4bit数模转换器(DAC)的设计、制造及测试。在南京电子器件研究所标 n、m 准黟76 Q匹配。 GaAs工艺线采用o．5肛m全离子注入MESFET工艺完成流片。芯入输入输出阻抗实现在片50 -lbit bit的转换柏度。该单片电路提供差分互补输出，长周期输出特性无漂移。其最高转换速率可达2Gbps，建立时间小于250ps．电路核心部分功耗为110mw。关键词：数模转换器；超高速；砷化镓；金属半导体场效应晶体管中图分类号：TN432文献标识码：A 文章编号：1000一3819(2006)01一034一04 andRealizationof GaAs4bitDAC Design 2Gbps ZHANG Youta01’2XIA GAO LIFuxia02 GuanqunlJianfen92 (1S，l口咒g．IlniJns￡if摊fP·D．厂．^靠c，‘Dsy盯君，扎口，ldJ咖r，挖以fiD竹了1音c^规DZD．吕秒，(?^inP5PAf口de，，{y EzectronicDe试ces QNa札jing Institue。N口nji，tg，210016，CHN) and are testofa GaAsmonolithic4bitDAC Abstract：Design，realizationhigh—speed 2Gbps discussed．Thiscircuithas beenfabricated GaAsMESFET by0．5肚mfullyion—implanted in mm NEDI力76 GaAs line．DACis foronwafer technology process designed I／0impedance DⅣL is±0．22LSB，andJNZis±0．45LSB．Theofthis4bitDACis to matching．Its accuracy