3～10 ghz sige hbts超宽带低噪声放大器的设计 design of a 3～10 ghz ultra-wideband low noise amplifier based on sige hbts.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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3～10 ghz sige hbts超宽带低噪声放大器的设计 design of a 3～10 ghz ultra-wideband low noise amplifier based on sige hbts.pdf

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3～10 ghz sige hbts超宽带低噪声放大器的设计 design of a 3～10 ghz ultra-wideband low noise amplifier based on sige hbts

第32卷第2期电子器件 v01．32No．2 ofEkc嘶脚汹 2009年4月chiI雠J叽眦l Apr．2009 a3～lOGHz Ultr铲WidebaIId“唧№iseBased锄SiGeHl影B’ 腑i印of Ampliner Ll lN Pei，GAN J诡，zHANGwan-rong’，xlEHong—yun，JDong—y讹，SHENJmrning 100124，ai船) (＆^00￡D，日盯f栅缸J打如，7，l口fi铆n材(拥咖Z勘gi榭一行g，巧i雄g胁fwify盯丁k^加Zo鲫。＆巧ing Abstr粥t：BasedonthestandardofUWB(Ultra．wideband)wirelesscommunication，anultra-widebandlow noise and Inthis siGeHBTsare amplifier(LNA)isproposeddesigned LNA，highperfo彻ance chosen， two structurewith shuntse“es stages multipleand feedbackare toachieveultra—wideband， loopsadopted noise and match．Thesimulationresultsshowthe highgain，10wfigure，andgoodinputoutputimpedance LNAhas of21 with dB 1．5dBvariation，noisevariesbetween2．4to3．3dB，and and gain figure input and bothlessthan一9dBover3to10 LNA outputreflections(S1lS22)are GHz．Meanwhile，theisuncon— stableinthewholeband．AlltheresultsexhibittheLNAhas ditionally goodperfomance． wmds：RF HBTs Key amplifier；lownoise锄plifier；circuitdesign；ultra-wideband；SiGe EEAOC：1220 3～1 0GHzSiGe HBTs超宽带低噪声放大器的设计* 李佳，张万荣。，谢红云，金冬月，沈飒，甘军宁 (北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京l00124) 捅的Si(k HBrs，同时采用并联和串联多重反馈的两级结构，以达到超宽频带、高增益、低噪声系数以及良好的输入输出匹配的目的。仿真结果表明，放大器在3一loGHz带宽内，增益S2l高达21dB，增益平坦度小于1．5dB。噪声系数在2．4～3．3dB之间。输入输出反射系数(S1，和z)均小于一9dB，并