3dic集成与硅通孔(tsv)互连 3d ic stacking with tsv interconnect.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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3dic集成与硅通孔(tsv)互连 3d ic stacking with tsv interconnect

团!三三竺!!里量：塾矍皇型达： 3DIC集成与硅通孔(TSV)互连童志义 (中国电子科技集团公司第四十五研究所北京东燕郊101601) 摘要：介绍了3维封装及其互连技术的研究与开发现状，重点讨论了垂直互连的硅通孔(TSV) 互连工艺的关键技术及其加工设备面临的挑战．提出了工艺和设备开发商的应对措施并探讨了 3DTSV封装技术的应用前景。关键词：3D封装；芯片互连；深硅刻蚀；硅通TL(TSV)；Tsv刻蚀系统中图分类号：TN405．97 文献标识码：A 3D with IC TSVInterconnect Stacking TONG zhiyi 45thResearchInstitute (The ofCETC，Beijiag101601，China) Abstract：Thestatusofbothresearchworkandits of3D andinterconnect development quo package is reviewedinthis focusonthe of technique paper．and谢t11 keytechniqueperpendicularity interconnectedsilicon andthe ofits throughhole(TSV)technologyfacingchallengesprocesses the for and forwardthe measures vendersand equipment．Atend，bring response technologyequipment the of3DTSV exploreapplicationperspective packagetechnique． silicon etch Keywords：3Dpackage；Dieinterconnect；Deepetching；Through·-silicon··via；TSVsystem 近年来，叠层芯片封装逐渐成为技术发展的主术，将芯片边缘的I／O端都连接到封装基板上。但流。叠层芯片封装技术，简称3D封装，是指在不改随着电路密度和复杂性的持续增长，以及由此引发变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直的互连过程中信号拥堵情况的加剧，使得采用这种方向叠放两个以上芯片的封装技术，它起源于快闪方法还是无法解决频宽和功耗问题。最新的3D叠层芯片技术采用直接穿过有源电路的多层互连结存储-器(NOIUNAND)及SDRAM的叠层封装。随着CMoS工艺开发的不断发展，继续等比构，有望显著提高系统性能。例缩小的局限越发明显，系统设计师们开始越来越在传统的集成电路技术中，作为互连层的多层多地转向多芯片封装，而不是继续依赖