la2o3掺杂对tio2系压敏陶瓷结构和性能的影响 effect of la203 doping on the structure and properties of tio2 system varistor ceramics.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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la2o3掺杂对tio2系压敏陶瓷结构和性能的影响 effect of la203 doping on the structure and properties of tio2 system varistor ceramics.pdf

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la2o3掺杂对tio2系压敏陶瓷结构和性能的影响 effect of la203 doping on the structure and properties of tio2 system varistor ceramics

第29卷第10期电子元件与材料、，01．29No．10 2010年lO月 ELECTRoNICCOMPONENTSAND^IATERIALSOct．20lO La203掺杂对Ti02系压敏陶瓷结构和性能的影响王天国1，覃群1，周志刚2 (1．湖北汽车工业学院材料工程系，湖北十堰442002；2．武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，湖北武汉430070) 380℃烧结性能、介电常数和晶界势垒特性．结果表明：La20，掺杂对所获陶瓷的结构和性能有显著的影响，在l V／mm，非线性系数为5．2，相条件下，掺杂x(La203)为0．70％的陶瓷表现出优良的综合电性能，其压敏电压为7．6 对介电常数岳为9．96x104，介电损耗锄J为0．32，这与该陶瓷具有最高的晶界势垒高度相一致．关键词：二氧化钛系；电容一压敏陶瓷；压敏电压；非线性系数；显微结构中图分类号：TN397 文献标识码：A 文章编号：l001-2028(2010)10—0032—04 Effectof onthestructureand of La203 Ti02system doping properties varistorceramics WANG Tiangu01，QINQunl，ZHOUZhigangz ofMaterial ofAutomotive Province， (1．DepartmentEngineering,HubeiUniversity Technology，Shiyan442002，Hubei ofAdvancedforMaterials of China；2．State SynthesisProcessing,WuhanUniversity KeyLaboratory Technology 430070，China) Technology,Wuhan were the solidreactionmethod． Abstract：The varistorceramics conventional La203一dopedTi02system preparedby Themicrostructurewas withXRDandSEM．Theelectrical werestudiedV-Icurves．dielectricand analyzed properties by defectbarriersmeasurements．Theresultsshowthatthe has effectonthevaristor La203 significant boundary