l波段硅脉冲功率管52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验 52 000 device hours pulsed rf accelerated lifetime test for l-band si pulsed power transistor.pdfVIP

L波段硅脉冲功率管52000器件小时的 脉冲射频加速寿命试验 王因生1 陶有迁1 徐全胜2 金毓铨1 傅义珠1 丁晓明1 王志楠1 1南京电子器件研究所，南京，210016 2中国国防科技信息研究中心，北京，100142 2011-05-24 2011-08-09 摘要：利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频(f=1.3GHz,Pin=40W, r=150μs，D=10％)和峰值结温220℃条件下进行52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率 管在峰值结温125℃和上述RF条件下，器件失效率λ≤1.59×10-7h-1。试验分析表明，采用本试验方法可以更真实 地评估射频功率管的可靠性水平。 硅微波脉冲功率管；可靠性；寿命试验；峰值结温 TN323.4;TN30 A 1000-3819(2011)05-0473-05 52000DeviceHoursPulsedRFAcceleratedLifetimeTestfo