mg掺杂al0.5ga0.5n薄膜的发光性质研究 optical properties of mg-doped al0.5ga0.5n films.pdfVIP

第32卷第3期 固体电子学研究与进展 VoI．32。NO．3 2012年6月 OFSSE Jun．，2012 RESEARCHPROGRESS Mg掺杂AI¨Ga¨N薄膜的发光性质研究 李 亮+ 李忠辉 董 逊 彭大青 张东国 许晓军 孙永强 周建军 孔月婵 姜文海 陈 辰 (南京电子器件研究所，微波毫米波单片和模块电路重点实验室，南京，210016) 2012—03—08收稿，201Z一03·13收改稿 sGa。．sN薄膜的发光谱中出 方法研究了Mg掺杂对AhGa。。N薄膜光学特性的影响。测量表明，Mg掺杂导致在Alo 现了3．9eV的发光带，其发光机理为束缚的施主一受主对(DAP)间的辐射复合跃迁。 关键词：铝镓氮；镁掺杂；阴极射线发光；金属有机物化学气相淀积