pld法制备高介电调谐率的纳米晶bzt薄膜 high dielectric tunability of nanocrystalline ba(zrxti1-x)o3 thin films prepared by pulsed laser deposition.pdfVIP

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  • 2017-08-20 发布于上海
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pld法制备高介电调谐率的纳米晶bzt薄膜 high dielectric tunability of nanocrystalline ba(zrxti1-x)o3 thin films prepared by pulsed laser deposition.pdf

pld法制备高介电调谐率的纳米晶bzt薄膜 high dielectric tunability of nanocrystalline ba(zrxti1-x)o3 thin films prepared by pulsed laser deposition

第26卷第l期 电 子 元 件 与 材 料’ v01.26No.1 CoMPONENTSANDMATERIALS Jan.2007 2007年1月 ELECTRoNIC PLD法制备高介电调谐率的纳米晶BZT薄膜 唐新桂1一,梁建烈1,农亮勤1,熊惠芳2,陈王丽华3 (1.广西民族大学物理与电子工程学院,广西南宁530006;2.广东工业大学物理与光电工程学院,广东广州 510006;3.香港理工大学应用物理系,香港九龙) 退火lO 别为50nm和60nm。在室温、1 的诱导,即(111)Pt3Ti和(111)BzT的晶格匹配。 关键词:无机非金属材料;锆钛酸钡薄膜;脉冲激光沉积;柱状晶粒;介电调谐特性;探测优值 ’

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