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p+多晶si1-xgex功函数对异质结cmos器件电学特性影响的模拟研究 simulation study of effect of work function of p+ polycrystalline si1-xgex on electrical properties of heterojuncion cmos.pdfVIP

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  • 2017-08-20 发布于上海
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p+多晶si1-xgex功函数对异质结cmos器件电学特性影响的模拟研究 simulation study of effect of work function of p+ polycrystalline si1-xgex on electrical properties of heterojuncion cmos.pdf

    p多晶si1-xgex功函数对异质结cmos器件电学特性影响的模拟研究simulationstudyofeffectofworkfunctionofppolycrystallinesi1-xgexonelectricalpropertiesofheterojuncioncmos

    第31卷第3期 电子器件 V01．31No．3 OfElectron 2008年6月 Q岫Joumal D目i瞄 Jun．2008 SimulationofEffectofWorkFunctionof Study onElectrical of uncionCMOS’ Sil吖Gex PropertiesHeteroj SHUBin，ZHANG W矗，X姒N He-ruing’，WrANGRong-xi，SONGJian·jun， REN Dong-ling，WUTte．fe礼g，ZHANGYong—jie Lab Semic

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