n型4h-sic ecr氢等离子体处理研究 study on ecr hydrogen plasma treatment of n-type 4h-sic.pdfVIP

第29卷 第3期 固体电子学研究与进展 V01．29。No．3 2009年9月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Sep．，2009 N型4H—SiC ECR氢等离子体处理研究’ 王德君1¨ 高明超1朱巧智1秦福文2宋世巍2王晓霞1 (1大连理工大学电子与信息工程学院，辽宁，大连，116024) (2大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，辽宁，大连，116024) 2008-09-28收稿，2009-01—16收改稿 明SiC表面原子排列规则，单晶取向性好，计算表明表面未发生重构。用X射线光电子能谱(XPS)技术对表面成分 进行分析，结果显示，表面C／C—H污染物被去除、氧含量降低。 关键词：碳化硅；氢等离子体；电子回旋共振等离子体；反射式高能电子衍射；X射线光电子能谱 中图分类号：TN305文献标识码：A 文章编号：1000—38