nzno薄膜的受主性质研究 research on acceptor nature of the n zno thin films.pdfVIP

第3z卷第2期 固体电子学研究与进展 V01．32，N。．2 2012年4月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Apr．．2012 N：ZnO薄膜的受主性质研究 黄世震 翁 坤’ (福州大学，福建省微电子集成电路重点实验室，福州，350002) 2011—11-17收稿。2011-12—30收改穑 z 摘要：使用溶胶一凝胶法制备N Zn0薄膜。用X射线衍射仪(XRD)对晶体结构进行表征，用扫描电子显微镜 (SEM)观察薄膜表面形貌，用荧光光谱仪测量低温(8K)及变温条件(8～200K)下的光致发光(PL)光谱。分析了 各个发射峰的形成机理，通过薄膜缺陷态发光和受主能级的关联性，计算出了N作为受主所需电离能的大小在 0．255～0．31 eV范围内．研究结果为以