p波段450w硅ldmos脉冲功率器件的研制 research and development of p band 450 w pulse power silicon ldmos.pdfVIP

第31卷 第1期 固体电子学研究与进展 V01．31，No．1 2011年2月 OFSSE Feb．．2011 RESEARCHPROGRESS 产pup、≯op、一upq ，射频与微波≮ ”《^一《8妒p矿o P波段450W硅LDMOS脉冲功率器件的研制 王佃利’ 李相光 严德圣 丁小明 刘洪军 钱 伟 蒋幼泉 王因生 (南京电子器件研究所，南京，210016) 2010—12—30收稿，201I-01—04收改稿 摘要：报道了P波段450 W硅LDMOS器件的研制结果。所研制器件采用沟槽技术实现背面源结构，采用场板技 术提高击穿电压并降低栅漏电容，采用多晶硅金属硅化物结构降低栅阻。研制结果表明，在漏源工作电压36V，脉宽 20 ms．占空比35．7％的测试条件下，485～606MHz全带内输出功