sio2钝化层对gan基pin结构核探测器漏电流的影响 the influence of sio2 layer passivation on the leakage current of gan-based pin radiation detectors.pdfVIP

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  • 2017-08-20 发布于上海
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sio2钝化层对gan基pin结构核探测器漏电流的影响 the influence of sio2 layer passivation on the leakage current of gan-based pin radiation detectors.pdf

sio2钝化层对gan基pin结构核探测器漏电流的影响 the influence of sio2 layer passivation on the leakage current of gan-based pin radiation detectors

第32卷第2期 固体电子学研究与进展 V01.32,No.2 OFSSE Apr.,2012 2012年4月 RESEARCHPROGRESS Si02钝化层对GaN基PIN结构核探测器 漏电流的影响。 袁愿林-tz姚昌胜1’2王果1’3,4陆敏1¨ (2中国科学院研究生院,北京,i00190) (1中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏,苏州,215123) (‘北京大学,北京,100871) (3北京大学深圳研究生院。广东,深圳,518055) 2011—12—06收穑.2011·12—16收改穑 摘要:成功地制备了有

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