sisio2系统电荷对高阻硅基cpw传输损耗的影响 sisio2 system charges effect on loss of cpw on hr-si substrate.pdfVIP

第27卷 第2期 固体电子学研究与进展 Vol-27，No．2 2007年5月 RESEARCH’PROGRESS0FSSE May，2007 f、ppp≯ppq 冬射频与微波龟 ■、p毋毋一p◇o’ Si／Si02系统电荷对高阻硅基CPW 传输损耗的影响 徐 钰1’2 石艳玲1’2 沈 迪1 胡红梅1 忻佩胜1 朱荣锦1 刘 赞1 蒋 菱1 (1华东师范大学信息学院电子系，上海，200062)(2传感技术联合国家重点实验室，上海，200050) 2005一06一16收稿，2005一lo—17收改稿 摘要：通过高频C—y测试得到实验制备的共平面波导(CPW)下方的Si／Si0：系统电荷主要表现为正电荷，其 密度约为4．8×10”／cm2。三种不同衬底上50n共平面波导分别为直接制备于高阻硅上、高阻硅氧化层上、去除信 号线与地线问的高阻硅氧化层上。20GHz时，测得上述三种CPW的微波传输损耗分别为一o．88dB、一2．